電針對(duì)腦缺血再灌注大鼠腦內(nèi)血管內(nèi)皮生長(zhǎng)因子及內(nèi)皮抑素的影響.pdf

1、目的：缺血性腦血管病，又名缺血性中風(fēng)，屬祖國(guó)醫(yī)學(xué)中風(fēng)病和卒中范疇，具有發(fā)病率高、病死率高、致殘率高的“三高”特點(diǎn)，是腦血管疾病中最常見的一種臨床類型，嚴(yán)重威脅著人類的健康和生命安全。腦組織對(duì)缺血特別敏感，缺血后，局部腦缺血中心缺血區(qū)很快會(huì)發(fā)生壞死，半暗帶區(qū)神經(jīng)功能喪失或基本喪失而神經(jīng)細(xì)胞卻依然存活。目前已經(jīng)認(rèn)識(shí)到，改善缺血區(qū)血供，挽救保護(hù)半暗帶可逆的神經(jīng)元，是改善缺血性腦血管病預(yù)后的關(guān)鍵。故治療缺血性腦血管病的重要手段和目的之一，便是促

2、進(jìn)半暗帶區(qū)腦組織的血管新生和側(cè)枝血管形成，及時(shí)恢復(fù)其血液供應(yīng)，營(yíng)養(yǎng)神經(jīng)細(xì)胞。血管再生的過(guò)程極其復(fù)雜，現(xiàn)有的科學(xué)研究表明，此過(guò)程受到促進(jìn)因子及抑制因子的嚴(yán)格調(diào)控，兩種因子的平衡或失平衡決定了血管的生長(zhǎng)狀態(tài)。其中，血管內(nèi)皮生長(zhǎng)因子(VEGF)被認(rèn)為是作用最強(qiáng)、特異性最高的成血管因子；內(nèi)皮抑素(ES)則被認(rèn)為是迄今為止最有效的內(nèi)源性血管生長(zhǎng)抑制劑之一。因此，缺血再灌后腦組織中VEGF、ES的表達(dá)水平和含量，可作為反應(yīng)血管新生狀態(tài)的標(biāo)志性指標(biāo)。

3、針灸是臨床治療缺血性腦血管病的有效手段，已有研究證實(shí)，針灸可促進(jìn)腦缺血區(qū)血管新生，增加微血管密度，但其作用機(jī)制尚待進(jìn)一步深入研究。本實(shí)驗(yàn)采用大鼠局灶性腦缺血再灌注模型，電針百會(huì)、水溝、足三里(雙側(cè))穴，觀察電針對(duì)腦缺血再灌注大鼠病灶側(cè)(右側(cè))大腦皮質(zhì)中VEGF、ES的影響，探討電針促進(jìn)腦缺血區(qū)血管新生的可能作用機(jī)制，從而進(jìn)一步深入研究針灸治療缺血性腦血管病的作用機(jī)制，為針灸臨床治療缺血性腦血管病提供一定的實(shí)驗(yàn)和理論依據(jù)。 方法：

4、健康成年 SD 大鼠100只，雌雄不拘，隨機(jī)分為正常對(duì)照組、假手術(shù)組、模型組、電針組；其中，模型組、電針組分別按缺血再灌注后不同時(shí)間(1d、2d、4d、8d)，分為A、B、c、D四個(gè)亞組。采用改良線栓法制備大鼠局灶性腦缺血再灌注(MCAO)模型，參照Z(yǔ)ea-Longa評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行神經(jīng)功能障礙評(píng)分，進(jìn)行動(dòng)物篩選。電針百會(huì)、水溝、足三里(雙側(cè))穴，免疫組織化學(xué)(SABC)法檢測(cè)大鼠病灶側(cè)(右側(cè))大腦皮質(zhì)中VEGF、ES的表達(dá)。 結(jié)果

5、：1. 正常對(duì)照組與假手術(shù)組VEGF、ES 在腦內(nèi)血管內(nèi)皮細(xì)胞上均呈低表達(dá)；兩組比較無(wú)明顯差異(P>0.05)。2. 模型組與正常對(duì)照組、假手術(shù)組相比較，VEGF、ES 表達(dá)明顯增強(qiáng)，具有極顯著性差異(P<0.01)。3. 伴隨再灌注時(shí)間的延長(zhǎng)，模型組與電針組各組別VEGF、ES 表達(dá)均呈下降趨勢(shì)。4. 電針組與模型組相比較，VEGF表達(dá)增強(qiáng)，除電針 C 組與模型 C 組比較(P>0.05)，無(wú)顯著性差異外，其余各對(duì)應(yīng)時(shí)相組相比較，均具

6、有極顯著性差異(P<0.01)；ES 表達(dá)明顯減弱，各對(duì)應(yīng)時(shí)相組相比較，均具有極顯著性差異(P<0.01)。 結(jié)論：1. 一般的手術(shù)創(chuàng)傷對(duì)腦內(nèi)血管內(nèi)皮細(xì)胞VEGF及ES的表達(dá)無(wú)明顯影響。2. 缺血、缺氧是促使VEGF表達(dá)的重要因素，ES的表達(dá)增加可能與機(jī)體的保護(hù)性反應(yīng)相關(guān)，防止血管的過(guò)度再生。3．腦缺血再灌注后1天可能為 VEGF、ES 表達(dá)的高峰。4. 電針能促進(jìn)腦缺血再灌注大鼠腦內(nèi)血管內(nèi)皮細(xì)胞VEGF的表達(dá)，抑制ES的表達(dá)