青霉素誘發(fā)發(fā)育期大鼠反復(fù)驚厥對學(xué)習(xí)記憶功能的遠(yuǎn)期影響及機(jī)制探討.pdf

1、目的： 建立發(fā)育期大鼠青霉素點(diǎn)燃模型，觀察青霉素點(diǎn)燃幼齡大鼠模型的空間學(xué)習(xí)記憶能力。探討發(fā)育期大鼠反復(fù)驚厥對學(xué)習(xí)、記憶能力和海馬突觸后致密物CaMK Ⅱ表達(dá)的遠(yuǎn)期影響。 方法： 生后29d(P29)的SD大鼠隨機(jī)分為青霉素點(diǎn)燃模型組(RS組，n=22)及生理鹽水對照組(NS組，n=10)。RS組隔日腹腔注射青霉素560萬U/kg體重，連續(xù)6次，NS組以同樣方法腹腔注射生理鹽水。于末次驚厥后進(jìn)行腦電記錄。分別于P5

2、1～P56、P81～P84、P92～P95進(jìn)行3次Morris水迷宮實(shí)驗(yàn)，檢測大鼠的學(xué)習(xí)記憶能力。最后，用原位雜交方法測定了腦內(nèi)CaMK Ⅱ的表達(dá)。 結(jié)果： ①腦電圖記錄RS組額葉叢集放電，棘波和尖波陣發(fā)。 ②逃避潛伏期：第1次Moms水迷宮各組潛伏期均呈逐漸下降趨勢，但RS組第5天潛伏期明顯高于NS組，具有顯著性差異(p<0.05);RS組第2次水迷宮測試中第1天潛伏期明顯高于NS組，具有統(tǒng)計學(xué)意義；第3次水迷

3、宮第2天的潛伏期仍明顯高于NS組，具有統(tǒng)計學(xué)意義。 ③記憶實(shí)驗(yàn)：三次記憶測試平臺象限路徑與總路徑之比，RS組三次記憶測試均明顯低于NS組，有顯著性差異(p<0.01)。RS組大鼠海馬CA3區(qū)、門區(qū)(hilus)及齒狀回(dLenfate gyms)的CaMK Ⅱ灰度值明顯低于NS組，具有顯著性差異。 結(jié)論： 青霉素誘導(dǎo)的發(fā)育期大鼠反復(fù)驚厥能夠?qū)W(xué)習(xí)和記憶功能產(chǎn)生遠(yuǎn)期的損害，可能與海馬記憶分子CaMK Ⅱ表達(dá)下調(diào)有