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1、江蘇大學(xué)碩士學(xué)位論文射頻磁控濺射法合成ZrWO薄膜的研究姓名：肖兆娟申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：材料學(xué)指導(dǎo)教師：程曉農(nóng)20060401江蘇大學(xué)碩士學(xué)位論文ABSTRACTNewnegativethermalexpansion(NTE)materialZrWEOswasdiscoveredtodisplayunusualstrongnegativethermalexpansioninaboardtemperaturerangeIthasvar
2、iousapplicationsinelectronics，optics，biomedicine，sensoretcButrecentlymorepowdersandbulkswerestudiedandlessreportsonfilmswereseenintheinternationalwideRadiofrequencymagnetronsputteringwasusedtoprepareZrW208filmsinthispape
3、rThetargetwastheceramictargetmadewithZr02andW03powderAdjustingtheexperimentparameterssuchassputteringatmosphericpressure，sputteringatmosphere，annealingtemperatureandatmosphereetctoobtainZrWEOSfilmofhighpurityTheinference
4、sofdifferentsputteringparametersonphase，compositionandsurfacemorphologyoffilmshadbeenstudiedinthepaperXraydiffraction(XRD)，scanningelectronmicroscope(SEM)，surfaceprofilometerandscratchingadhensionwereusedtotestthephase，m
5、orphologythickness，cohensionoffilmsTheresultsindicatedthat，asfarasnumber1target(Zr02：W03=21)wasconceredthethinknessofthefilmsdecreasedwitllthedecreaseoftheconcentrationofargonwhenotherparaThethinknessoffilmswasapproximat
6、elylinearwimthesputteingtimeandthesputteringratewasapproximatelylinear、ⅣimthesputteringpowerThecohensionoffilmandthesubstratedecreasedthenincreasedwi廿1theincreaseofthethinknessofthefilmunderacertainrangeXRDwasusedtoanaly
7、sethephaseoffilmsItisfoundthattheasdepositedfilmisamorphousThefilmspreparedwithnumber1targetcrystallizedbestataround720“CbasedontheresultsofhighandlowtemperatureXRDWhenannealedintheRTP一300rapidtreatmentfurnace，thebesttre
8、atmenttemperatureis780。CWhilethebesttemperatureis740。Cwhenthefilmsmadewithnumber2target(Zr02：W03=1：28)annealedintheRTP一300rapidtreatmentfurnaceWhenannealedatlowertemperature，ZrW208filmcannotcrystallizetotallyWhenannealed
9、athighertemperature，ZrW208filmdecomposeSEMphotoesrevealsthatthesurfaceoffilmisuniformwhenthetreatmenttemperatureislowerthan700。CWhenannealedataround750。C，filmaredenselypackedWhenannealedhighertemperaturethan1000。C，crackI
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