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文檔簡介
1、磁控濺射法制備MoS2薄膜具有沉積速率高、成膜質(zhì)量好等特點(diǎn)，尤其是成膜溫度低，不影響基材的性能，所以很適用于金屬表面改性。本文主要研究鋼基上用射頻磁控濺射法制備MoS2薄膜，同時(shí)研究了鋼基上MoS2/SiC雙層薄膜的制備及其性能。 本文采用MoS2、SiC為靶材，在以GCr15為主的基材上制備了MoS2單膜與MoS2/SiC雙層薄膜，通過掃描電鏡、能譜儀、X射線衍射儀、摩擦磨損以及劃痕試驗(yàn)儀等手段系統(tǒng)研究了濺射工藝參數(shù)對薄膜形貌
2、、結(jié)構(gòu)和性能的影響。研究結(jié)果表明：采用射頻磁控濺射法，在功率為200W、工作氣壓為3Pa、時(shí)間為2h的條件下獲得的MoS2薄膜性能最佳。表面形貌分析顯示，MoS2薄膜形貌與沉積過程中沉積原子從襯底表面獲得的擴(kuò)散能量有關(guān)；足夠的擴(kuò)散能量下薄膜按層狀模式生長，擴(kuò)散能量不足時(shí)薄膜按層島復(fù)合模式生長。MoS2薄膜表層XRD分析表明，退火對MoS2薄膜的結(jié)構(gòu)影響不大，薄膜沉積時(shí)襯底加熱對MoS2薄膜的結(jié)構(gòu)影響明顯，尤其是襯底加熱500℃時(shí)MoS2
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