對采用浮柵技術(shù)的NOR型閃存電路失效分析中的證據(jù)調(diào)查的探討和研究.pdf

1、此篇論文通過對采用浮柵技術(shù)的N O R型閃存電路失效中連接性失效,功能性失效以及直流參數(shù)性失效三種類型共十一個(gè)案例的討論,探討了失效分析中證據(jù)調(diào)查的理論基礎(chǔ)；總結(jié)了這三種失效類型案例中失效分析的方法和技巧；論述了測試原理與失效類型之間的關(guān)系。
　　 在連接性失效分析的討論中,由失效分析的流程出發(fā),從具體的案例中提出了連接性失效分析中X射線觀察的誤區(qū),以及失效分析流程在連接性失效分析中的盲區(qū)；探討了連接性失效中失效信息的轉(zhuǎn)移方向,

2、并且根據(jù)這失效信息轉(zhuǎn)移的方向和具體的案例應(yīng)用得到了短路失效分析以及開路失效分析中行之有效的方法流程。
　　 在直流參數(shù)性失效分析的討論中,分析了失效定位技術(shù)的產(chǎn)生,類型以及應(yīng)用范圍；在直流參數(shù)性失效的討論中提出了失效定位技術(shù)在多芯片球柵陣列封裝芯片的失效分析中的困難；研究了多芯片球柵陣列封裝芯片中晶元表面暴露技術(shù):分析和總結(jié)了直流參數(shù)性失效和電源與地之間的短路失效的分別和這兩種失效類型的不同分析方法；探討了證明失效的工藝步驟問題

3、的方法和技巧；通過對實(shí)際案例的分析總結(jié)了晶元粘貼工序?qū)τ诙嘈酒庋b芯片可靠性的影響。
　　 在功能性失效分析的討論中,探討了失效定位技術(shù)在功能性失效分析中的局限性；探討了功能性失效中失效信息的轉(zhuǎn)移方向；研究了如何運(yùn)用電路分析技術(shù)來進(jìn)行芯片失效位置的定位;探討了在掃描電子顯微鏡中使用的嵌入異物的同一認(rèn)定方法以及對接地導(dǎo)體進(jìn)行同一認(rèn)定的被動(dòng)電壓對比襯度像技術(shù)；總結(jié)了在微觀尺寸下如何運(yùn)用聚焦離子束技術(shù)以及能譜分析中面分析技術(shù)來同一認(rèn)定