常壓射頻低溫等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積二氧化硅薄膜的研究.pdf

1、二氧化硅薄膜的制備是微電子工藝中一項(xiàng)十分重要的技術(shù)，針對不同用途的二氧化硅薄膜，各種新的沉積技術(shù)不斷涌現(xiàn)。而大氣壓射頻低溫等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)作為新型的薄膜沉積技術(shù)中一種比較具有代表性的技術(shù)，越來越多地受到人們的重視。 本文介紹了利用大氣壓射頻低溫等離子體技術(shù)在硅和聚酰亞胺薄膜上沉積二氧化硅薄膜。我們討論了沉積溫度，輸入功率，氧氣流量等各種因素對薄膜生長的影響。由實(shí)驗(yàn)結(jié)果可知沉積溫度與薄膜內(nèi)的有機(jī)成分的含量成反比，輸入功

2、率與沉積速率成正比，而氧氣的使用會對生長速率有著明顯的促進(jìn)作用。此外我們還對沉積過程進(jìn)行了光譜分析，從光譜的角度解釋了薄膜生長的一個可能的過程，同時我們還發(fā)現(xiàn)O（844nm）在薄膜的生長過程中可能有著一些特殊的作用。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，利用該等離子體技術(shù)能成功地生長出二氧化硅薄膜。常壓射頻低溫等離子體技術(shù)由于沒有真空室的限制，操作方便靈活，設(shè)備運(yùn)行及維護(hù)費(fèi)用低，同時沉積溫度較低，適用于許多低熔點(diǎn)的襯底材料，因此在薄膜沉積方面有著巨大