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1、該工作采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)對(duì)Si襯底上沉積的氮化碳薄膜的過程進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究.以掃描電子顯微鏡(SEM)、能量色散X射線(EDX)、X射線衍射(XRD)、拉曼光譜(Raman)等為技術(shù)手段,對(duì)薄膜形貌、成分、晶體結(jié)構(gòu)、微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析和確定;研究了偏壓和襯底溫度等實(shí)驗(yàn)參量對(duì)氮化碳薄膜特性的影響;探討了催化劑鐵對(duì)氮化碳薄膜特性的影響.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:放電偏壓可以阻薄膜中SiC的產(chǎn)生,襯底溫度對(duì)氮化碳薄膜的相變起決定性作用.催化劑
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