CdSe-ZnS核殼型量子點(diǎn)的合成及修飾.pdf

1、量子點(diǎn)是指物理尺寸小于其玻爾激發(fā)半徑的半導(dǎo)體納米晶粒。一般由第Ⅱ/Ⅵ主族或第Ⅲ/Ⅴ主族元素組成。當(dāng)材料的尺寸小于其相應(yīng)玻爾激發(fā)半徑時(shí)（一般在1～5nm），就會(huì)產(chǎn)生量子限域效應(yīng)，使得量子點(diǎn)具有很多獨(dú)特的性質(zhì),包括：窄發(fā)射（半峰寬一般在20～30nm）；寬激發(fā)；量子產(chǎn)率高；摩爾消光系數(shù)大（比有機(jī)染料高1～2個(gè)數(shù)量級(jí)）；抗光漂白和化學(xué)降解；從紫外到近紅區(qū)（700～900nm）有連續(xù)的吸收；熒光壽命長（大于10ns）；斯托克斯位移大。因此，量子

2、點(diǎn)在生物、材料、能源等各個(gè)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。
　　 本論文對(duì)量子點(diǎn)的合成與修飾進(jìn)行了相關(guān)研究，具體包括：
　　 (1)量子點(diǎn)合成 建立了量子點(diǎn)合成的標(biāo)準(zhǔn)化、可控程序。合成發(fā)射波長介于520nm～590nm量子點(diǎn)；所合成的量子點(diǎn)半峰寬小，量子產(chǎn)率高。通過透射電鏡、X-射線能譜、熒光、紫外對(duì)量子點(diǎn)粒徑、元素種類、發(fā)射峰、紫外吸收、量子產(chǎn)率、量子點(diǎn)濃度等進(jìn)行了表征。對(duì)于實(shí)驗(yàn)過程中影響量子點(diǎn)合成的各種因素進(jìn)行了系統(tǒng)研究。

3、>　　 (2)量子點(diǎn)包裹 分別考察了一鍋法、兩步法對(duì)于量子點(diǎn)核的包裹。對(duì)于包裹前后量子點(diǎn)的微觀結(jié)構(gòu)，光譜學(xué)性質(zhì)的變化進(jìn)行了表征。對(duì)于影響包裹的各種因素，進(jìn)行了系統(tǒng)的考察。
　　 (3)采用聚合物（MePEG-PLA）對(duì)量子點(diǎn)進(jìn)行修飾 對(duì)于包裹后量子點(diǎn)的熒光性質(zhì)進(jìn)行了表征；穩(wěn)定性、粒徑也進(jìn)行了初步的研究；通過實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)估計(jì)了包封率。對(duì)于影響包裹物穩(wěn)定性的因素進(jìn)行了探討。
　　 (4)小分子對(duì)于量子點(diǎn)的修飾 通過二硫蘇糖醇（