CdSe-ZnS（核-殼）量子點(diǎn)及其摻雜在PMMA中的輻射—吸收光譜研究.pdf

1、雖然傳統(tǒng)的石英光纖在全光網(wǎng)通信等領(lǐng)域已得到廣泛的應(yīng)用，塑料光纖由于其價(jià)格低廉、柔韌性好、易連接等優(yōu)點(diǎn)受到了人們的極大關(guān)注。在目前的拉絲技術(shù)下，常規(guī)的塑料（例如聚甲基丙烯酸樹脂，Polymethylmethacrylate，PMMA）可以直接拉制成任意長(zhǎng)度和直徑的光纖。然而，即使光信號(hào)傳輸穩(wěn)定，塑料光纖由于低透光率，其傳輸損耗大。因此，人們希望出現(xiàn)一種損耗更低、帶寬更寬、在通信波帶內(nèi)有更高更平坦增益的新型塑料光纖。
　　近年來，Cd

2、Se量子點(diǎn)(QDs)由于其具有熒光強(qiáng)烈、波長(zhǎng)位于可見區(qū)、合成方法簡(jiǎn)單、發(fā)光穩(wěn)定等特點(diǎn)備受關(guān)注。因此，以CdSe量子點(diǎn)作為增益介質(zhì)來構(gòu)成CdSe量子點(diǎn)光纖放大器成為人們感興趣的課題。
　　本文采用有機(jī)金屬法，實(shí)驗(yàn)制備了正己烷基底的CdSe量子點(diǎn)。光譜測(cè)量表明，CdSe量子點(diǎn)直徑約為5.6 nm，發(fā)射峰為625 nm，吸收峰為615 nm(斯托克斯頻移為10nm)。
　　本文將CdSe/ZnS（核/殼）量子點(diǎn)摻入聚甲基丙烯酸甲酯

3、(PMMA)，形成(CdSe/ZnS)/PMMA量子點(diǎn)摻雜光纖材料。測(cè)量了不同摻雜濃度下的(CdSe/ZnS)/PMMA的吸收譜、發(fā)射譜和折射率。與正己烷溶劑中的CdSe/ZnS量子點(diǎn)比較，PMMA基底不改變CdSe/ZnS量子點(diǎn)的吸收和發(fā)射峰值波長(zhǎng)。在摻雜濃度范圍(0.013～0.130) mg.mL-1內(nèi)，實(shí)驗(yàn)觀測(cè)到了PL峰值強(qiáng)度具有單峰并隨指數(shù)平方變化的規(guī)律。隨摻雜濃度的增加，常溫下折射率最大可提高0.0013，PL輻射峰波長(zhǎng)出現(xiàn)