抗軟錯(cuò)誤TCAM設(shè)計(jì).pdf_第1頁(yè)
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1、三態(tài)可按內(nèi)容尋址存儲(chǔ)器（TCAM）是一種特殊的存儲(chǔ)器，它不僅可以像傳統(tǒng)存儲(chǔ)器一樣讀、寫，還可以進(jìn)行高速的數(shù)據(jù)搜索，因而被廣泛地用作CPU里的Cache、TLB和路由器里的IP地址前綴查找表等。然而隨著越來(lái)越多的電子器件被應(yīng)用到輻射環(huán)境和集成電路制造工藝尺寸的減小，TCAM越來(lái)越容易發(fā)生軟錯(cuò)誤。因此研究TCAM的抗軟錯(cuò)誤加固技術(shù)具有重要的現(xiàn)實(shí)意義。
　　鑒于TCAM不能像其它常規(guī)存儲(chǔ)器一樣直接用ECC電路來(lái)提高抗軟錯(cuò)誤能力，本文采用

2、了一種針對(duì)TCAM的抗軟錯(cuò)誤加固結(jié)構(gòu)。加固后的TCAM主要由加固前的TCAM、嵌入式DRAM和ECC電路組成，利用嵌入式DRAM周期性刷新的特性不斷對(duì)TCAM相應(yīng)存儲(chǔ)陣列中的數(shù)據(jù)進(jìn)行重寫或糾錯(cuò)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)TCAM的抗軟錯(cuò)誤加固。
　　本文首先設(shè)計(jì)了一個(gè)規(guī)模為64×144bits的常規(guī)TCAM、一個(gè)規(guī)模為64×152bits的嵌入式DRAM和相應(yīng)的漢明碼編、解碼電路，并用仿真工具Nanosim分別對(duì)它們進(jìn)行了仿真優(yōu)化。然后根據(jù)本文所

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