考慮偏差因素的集成電路軟錯誤分析方法研究.pdf

1、隨著集成電路進(jìn)入深亞微米級時代，供電電壓和工藝尺寸不斷減小，電路在工作的過程中，易于受到粒子沖擊、外界噪聲引起的軟錯誤影響，造成其工作狀態(tài)出現(xiàn)故障。本課題針對電路軟錯誤現(xiàn)象展開研究，并綜合考慮NBTI退化效應(yīng)、加工工藝偏差等偏差因素對集成電路的軟錯誤率造成的影響，進(jìn)行綜合評估，得到更為準(zhǔn)確的軟錯誤率估計模型，從而對大規(guī)模集成電路的可靠性設(shè)計提供理論依據(jù)。
　　本文首先分析了軟錯誤的來源，將其劃歸為環(huán)境噪聲引起的軟錯誤和由于粒子沖擊

2、引起的軟錯誤兩種類型，并采用不同的方法進(jìn)行建模和分析。對于電噪聲引起的軟錯誤，本文采用基于電壓概率轉(zhuǎn)移模型的方法對瞬時故障率進(jìn)行估計，并考慮NBTI退化效應(yīng)引起的晶體管參數(shù)偏差問題對分析過程產(chǎn)生的影響。實驗結(jié)果表明，相比于傳統(tǒng)的Monte Carlo分析，在保證其準(zhǔn)確率的同時，分析速度提升了2個數(shù)量級，從而解決了Monte Carlo分析電路過于龐雜時計算不收斂的問題。此外，本文針對NBTI效應(yīng)對瞬時故障率的影響進(jìn)行了分析實驗，獲取基本