電針對局灶性腦缺血再灌注損傷大鼠海馬區(qū)VEGF、HIF-1α表達的影響.pdf

1、背景和目的：缺血性腦血管病是臨床常見病、多發(fā)病。如何有效的搶救、治療急性缺血性腦血管病，最大限度地減少患者的致殘率和致殘程度，提高其生存質量，已成為當今世界醫(yī)學界關注的重要課題。傳統(tǒng)的觀點一致認為盡快恢復缺血區(qū)的血供，挽救瀕死的神經元、神經膠質細胞和神經內皮細胞是治療缺血性腦血管病的中心環(huán)節(jié)，但是由于長時間的缺氧導致大腦微環(huán)境發(fā)生改變：無氧糖酵解造成大量的乳酸堆積；長時間缺血導致線粒體破壞殆盡；機體能量耗竭等等，使得恢復的血流與損傷組織

2、之間相互作用，隨之出現腦缺血再灌注損傷。為了解決這一治療上的矛盾，研究者通過大量的研究發(fā)現急性腦缺血后缺血區(qū)其自身可啟動代償性血管新生(angiogenesis，AG)，以代償部分血供，但不足以代償全部血供。近年來隨著對缺血性腦卒中分子水平研究的深入，發(fā)現多種細胞因子參與了血管新生的發(fā)生與調控過程，其中血管內皮生長因子(VEGF)是迄今為止唯一被證明對血管形成起關鍵和特異性作用的生長因子，而缺氧誘導因子1α(HIF-1α)在介導缺氧與血

3、管新生的信號傳遞中起關鍵性的作用，可被低氧激活并誘導VEGF等基因的表達。調控血管血管新生相關因子表達，促進血管新生進程，恢復缺血區(qū)的血供有利于腦缺血后神經元的修復。大量臨床報道已經證實針灸治療缺血性中風療效確切，本課題在大腦中動脈栓塞法(middlecerebralarteryocclusion，MACO)制備的腦缺血再灌注模型基礎上，選用“百會”，“水溝”，“后三里”諸穴，觀察電針對局灶性腦缺血大鼠海馬區(qū)VEGF和HIF-1α表達的

4、影響，探討電針在腦缺血再灌注損傷中的促血管新生作用及其可能機制，為針灸治療缺血性腦血管病提供一定的實驗依據。 方法：以健康SD大鼠為實驗研究對象，隨機分為正常對照組、假手術組、MCAO模型對照組(缺血30min后再灌注12h、1d、2d三個亞組)、電針組(缺血30min后再灌注12h、1d、2d加電針治療三個亞組)，前兩組每組各10只，后兩組每個亞組各10只。根據Longa改良的動脈線栓法制作大鼠MCAO模型，神經功能障礙評分參

5、照zea—Longa的5級4分評分標準，只有神經功能障礙在1級以上的大鼠才能保留下來。電針組在動物在造模成功后1小時分別電針“百會’，“水溝”，“后三里”穴30分鐘，然后每隔12小時電針30分鐘，并于取材前1小時電針最后1次。正常組、假手術組、模型對照組動物不予電針治療。治療結束后各組大鼠隨相應時相取材、做石蠟包埋、切片，每個蠟塊分別在海馬區(qū)切3張厚5μm切片，運用免疫組化S—P法，光鏡下觀察各組大鼠缺血側海馬區(qū)微血管的密度和VEGF、

6、HIF-1α陽性表達水平；所有數據均輸入計算機，以SPSS11.0軟件統(tǒng)計包處理，微血管的密度實驗結果以均數士標準差(—x±s)表示，各組VEGF、HIF-1α陽性率比較行X2檢驗。 結果： (1)微血管密度：模型組各個時相大鼠海馬微血管密度均高于正常組和假手術組，電針組各個時相海馬微血管均高于相應時相的模型對照組，有顯著性差異，(P＜0.01)； (2)VEGF、HIF-1α的表達：正常對照組和假手術組大鼠海馬

7、區(qū)只有極少量的陽性表達，模型組、電針組海馬區(qū)陽性表達明顯增多(p＜0.05)；模型組VEGF陽性表達率為78.6％，電針組VEGF陽性表達率為84.6％；模型組HIF-1α陽性表達率為71.4％，電針組HIF-1α陽性表達率為92.3％。電針組VEGF、HIF-1α的陽性率均高于模型組，差異有統(tǒng)計學意義(p＜0.05)； (3)電針組各個時相VEGF、HIF-1α陽性表達之間的比較：其中電針12h、電針1d、電針2d，VEGF的

8、陽性表達率分別為：60％、87.5％、87.5％；電針12h、電針1d、電針2d，HIF-1α的陽性表達率分別為80％、87.5％、87.5％?？梢婋娽樈MVEGF、HIF-1α陽性表達隨治療時間的延長逐漸增加，但各組之間差異比較沒有統(tǒng)計學意義(p＞0.05)，可能與每組例數太少有關。 結論：電針“百會”，“水溝”，“后三里”穴能夠對抗腦缺血再灌注損傷、其作用機制可能與促進HIF-1α及VEGF在海馬表達，調節(jié)腦缺血再灌注后血管新