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文檔簡介
1、本文采用傳統(tǒng)的電化學(xué)陽極腐蝕法制備p型多孔硅。通過掃描電子顯微鏡來觀察p型多孔硅表面形貌和腐蝕失重計算p型多孔硅孔隙率和硅層厚度，研究腐蝕時間、電流密度和HF濃度對p型多孔硅電化學(xué)陽極腐蝕法制備條件的影響。結(jié)果表明，隨腐蝕時間、電流密度和HF濃度逐步增加p型多孔硅的孔隙率先增大后減少，隨著腐蝕時間、電流強度和HF濃度的增加，p型多孔硅的厚度逐步增加，呈線性關(guān)系。
通過使用熒光分光光度計在室溫下測量p型多孔硅光致發(fā)光譜，研究腐蝕
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