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文檔簡介
1、本論文的主要工作是利用制備形成的多孔硅作為濕度敏感材料,研究了多孔硅的濕度敏感特性,從不同的角度探索了提高多孔硅濕度傳感器性能的措施,同時(shí)針對該濕度傳感器存在的問題,提出了相應(yīng)的改進(jìn)方法。 首先,使用摻雜濃度較低(p=8~15Ω·cm)、晶向?yàn)?100)的P型硅片,采用電化學(xué)陽極氧化的方法制備了表面均勻的多孔硅,其腐蝕溶液為體積比為1∶1的氫氟酸和無水乙醇,電流密度為30mA/cm<'2>,氧化時(shí)間為10分鐘。利用掃描電鏡(SE
2、M)和原子力顯微鏡(AFM)對形成的多孔硅的表面形貌進(jìn)行了表征。 其次,利用多孔硅比表面積大,活性強(qiáng),適宜用作敏感材料的特點(diǎn),將其用于濕度敏感材料,進(jìn)行了濕度傳感器相關(guān)性能參數(shù)(靈敏度,響應(yīng)時(shí)間等)的測量。并且還對該濕度敏感元件的頻率特性進(jìn)行了簡單的測試。 再次,為了改進(jìn)多孔硅濕度傳感器無法再生的缺點(diǎn),首先引進(jìn)正溫度系數(shù)電阻(PTC),通過實(shí)驗(yàn)對PTC熱敏元件的特性進(jìn)行了詳細(xì)的描述,重點(diǎn)研究了使用PTC加熱元件對多孔硅濕
3、度傳感器進(jìn)行升溫加熱的辦法,將PTC加熱元件粘貼于多孔硅傳感器的背面,能夠在較短的時(shí)間內(nèi)將整個(gè)器件的溫度升高到230℃,通過這種方法,使整個(gè)多孔硅完全解吸附僅僅需要3分鐘的時(shí)間,可恢復(fù)程度高達(dá)99%,解決了多孔硅作為傳感器的無法再生的問題。該方法的一個(gè)很大的優(yōu)點(diǎn)就是PTC可以通過控制加熱電壓而實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控溫,不需要額外的溫度傳感器來監(jiān)測器件的溫度,從而節(jié)約了成本。 最后,為了改進(jìn)多孔硅濕度傳感器的濕度響應(yīng)特性,以多孔硅為襯底,醋酸
4、鋅為前驅(qū)體,采用溶膠-凝膠的方法,在退火溫度為450℃的條件下制成納米氧化鋅材料/多孔硅復(fù)合結(jié)構(gòu),通過這種方法得到的氧化鋅比較均勻,對多孔硅是一種非常好的納米級別的修飾,提升了多孔硅濕度傳感器的靈敏度、降低了響應(yīng)時(shí)間。并且研究了形成納米氧化鋅的前驅(qū)體的濃度對多孔硅濕度傳感器性能的影響。另外,利用納米氧化鋅/多孔硅復(fù)合材料的敏感特性和PTC加熱元件的溫度可控的優(yōu)點(diǎn),制作成高溫條件下的氣體敏感元件,通過PTC加熱元件的加熱使整個(gè)器件處于高溫
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