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文檔簡介
1、多孔硅室溫下光致發(fā)光效應自被報道以來就預示著要在硅基光電子集成上得到很好的應用,而多孔硅發(fā)光不穩(wěn)定性已經(jīng)成為多孔硅研究特別是應用研究的一個主要障礙。
陰極還原處理和酸處理是本文采用的對多孔硅進行后處理的方法,通過比較處理前后的光致發(fā)光光譜,探討它們對發(fā)光效率及穩(wěn)定性的影響。實驗采用陽極腐蝕法來制各有效發(fā)光的多孔硅,并獲得較好的制備工藝參數(shù)。再設置實驗分別將陰極還原、酸處理運用到新鮮制備的多孔硅上,獲得相對較好的處理參數(shù)。最
2、后采用正交試驗法來綜合比較陰極還原、酸處理兩種處理方式,通過測試它們的PL譜來探討不同后處理對多孔硅發(fā)光的影響。
通過比較發(fā)現(xiàn),酸處理和陰極還原處理都可以提高多孔硅的發(fā)光效率,兩種處理結(jié)合使用的效果與順序有關,先陰極還原處理再酸處理的樣品發(fā)光效率較高,而相反的處理順序則使發(fā)光效率大大降低。對于發(fā)光穩(wěn)定性的研究結(jié)果顯示,在空氣中自然存放時陰極還原處理、先陰極還原再酸處理的方式能提高多孔硅的發(fā)光穩(wěn)定性:在多孔硅表面不同位置測試
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