含納米硅氧化硅薄膜的制備及發(fā)光特性研究.pdf

1、光電子信息材料是本世紀(jì)最受關(guān)注的材料之一，光電子集成器件在信息時(shí)代有極其重要的作用。由于硅的平面集成工藝已相當(dāng)成熟，所以從工藝兼容性考慮，用硅基材料作為發(fā)光器件將會(huì)是最佳的選擇，而其獲得應(yīng)用的關(guān)鍵是提高發(fā)光效率。單晶硅是間接帶隙材料，其帶間輻射復(fù)合效率非常低，難以達(dá)到發(fā)光器件的要求，與之相比，納米硅晶在結(jié)構(gòu)、光學(xué)及光電性能方面與單晶硅不同，它在發(fā)光器件、光探測器件、光電集成以及傳感器等領(lǐng)域有更廣闊的應(yīng)用前景。 本文采用射頻磁控濺

2、射方法制備富硅二氧化硅薄膜，并在此基礎(chǔ)上摻入單質(zhì)鋁，經(jīng)高溫退火，自組裝生長納米硅顆粒，并對薄膜進(jìn)行了拉曼（Raman）散射、X射線衍射（XRD）、掃描電鏡（SEM）、傅立葉紅外吸收光譜（FTIR）和光電子能譜（XPS）的測定，對吸收光譜也進(jìn)行分析。結(jié)果表明，摻鋁樣品引入了新的缺陷，發(fā)光強(qiáng)度增強(qiáng)。 本論文主要測定薄膜的光致發(fā)光和電致發(fā)光特性。在光致發(fā)光測定中，我們得到了位于360nm和675nm的發(fā)光峰，并討論他們的激發(fā)譜和發(fā)光中