ZnO薄膜的制備及發(fā)光特性的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、ZnO是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,為六方晶體(纖鋅礦)結(jié)構(gòu),與GaN的晶格結(jié)構(gòu)相同,晶格常數(shù)(a軸)相差不大,熱膨脹系數(shù)(垂直于c軸方向)十分接近.室溫下ZnO的禁帶寬度為3.37eV左右,具有60meV的激子束縛能,從而大大提高了ZnO材料的激發(fā)發(fā)射機制,降低了ZnO的激射閾值,其光泵浦紫外激光的獲得使ZnO成為熱門的新型光電材料.再加上ZnO薄膜制備簡單,成本低,它可能成為繼GaN之后的又一理想的光電材料.該文回顧了近年來ZnO薄膜自發(fā)

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