電化學(xué)腐蝕法制備納米硅薄膜的結(jié)構(gòu)和發(fā)光特性的研究.pdf

1、該論文采用電化學(xué)腐蝕法制備多孔硅,通過浸泡液分離多孔層后,在表面形成豐富的SiO<,x>包裹納米硅線和納米孔,測量了它們室溫下的光致發(fā)光(PL)譜和電致發(fā)光(EL)譜,采用SEM、TEM、AFM、XPS、FTIR對(duì)樣品表面的結(jié)構(gòu)和組分進(jìn)行了表征.在250nm波長的激發(fā)下,分離多孔層后PL譜強(qiáng)度對(duì)分離前約有10倍的增幅,峰位主要在藍(lán)紫光范圍內(nèi).經(jīng)干氧退火后,發(fā)光強(qiáng)度隨退火溫度升高而增強(qiáng),峰位不變;在樣品表面鍍上半透明Au膜后制備出電致發(fā)光

2、器件,在正向偏壓下樣品可以長時(shí)間穩(wěn)定的發(fā)出綠光(510nm),并且隨著偏壓的升高,強(qiáng)度升高,峰位不變,在剝離多孔層后的樣品采用雙離子束濺射法在表面鍍一層碳膜后制備的電致發(fā)光器件,相對(duì)于未鍍碳膜的樣品具有更強(qiáng)、更穩(wěn)定的發(fā)光.結(jié)合SEM、AFM、TEM、XPS、FTIR的結(jié)果對(duì)分離多孔層后樣品的PL和EL變化進(jìn)行分析后認(rèn)為,分離前納米多孔層結(jié)構(gòu)的脆弱和內(nèi)部成分不穩(wěn)定使得多孔硅發(fā)光峰位和強(qiáng)度不穩(wěn)定,而分離多孔層后表面形成結(jié)構(gòu)和成分均很穩(wěn)定的S