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文檔簡介
1、本論文對硅基體微通道列陣的電化學加工技術進行了初步的理論分析和實驗研究。實驗中采用P型摻雜的硅基片，在硅基片上用熱氧化法形成氧化膜，為了確定微通道的位置，利用光刻技術將掩膜圖形轉(zhuǎn)印到氧化膜上，并利用濕法刻蝕技術形成誘導坑列陣，然后在硅片背面形成歐姆接觸層。以上這些工藝步驟完成之后，將在三極電解槽中進行硅基片的電化學刻蝕實驗，并利用掃描電子顯微鏡對刻蝕后的樣品形貌進行觀察和研究。 理論分析和實驗研究結果表明：做為基體材料的硅基片的
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