多孔硅的電化學(xué)制備與光致發(fā)光.pdf

1、多孔硅的研究主要集中在提高其光致發(fā)光強度和穩(wěn)定性上,本論文通過電化學(xué)腐蝕制備多孔硅,研究了制備條件對多孔硅光致發(fā)光的影響,同時運用酸處理和陰極還原處理探討了后處理對多孔硅穩(wěn)定性的影響。實驗表明,對于固定濃度的腐蝕液,在腐蝕時間相同的情況下,隨著腐蝕電流密度的增大,多孔硅的光致發(fā)光強度先增加后衰減,說明制備多孔硅存在最佳腐蝕電流密度。當(dāng)腐蝕溶液為V(HF):V(C2H5OH)=1:1,腐蝕時間為15min,比較理想的腐蝕電流密度是50 m

2、A／cm2。對于相同的腐蝕時間和腐蝕電流密度,隨著腐蝕液濃度的增大,多孔硅的光致發(fā)光強度先增加后衰減,說明制備多孔硅存在最佳腐蝕液濃度。實驗中,對應(yīng)腐蝕電流密度50mA／cm2,腐蝕時間10min,相對理想的腐蝕液配比是V(HF):V(C2H5OH)=1:3。對于相同的腐蝕液濃度和腐蝕電流密度,隨著腐蝕時間的增加,多孔硅的光致發(fā)光強度先增加后衰減,說明制備多孔硅存在最佳腐蝕時間。對于腐蝕溶液為V(HF):V(C2H5OH)=1:1,電流

3、密度為10 mA／cm2,比較理想的腐蝕時間是15min。
　　 實驗中發(fā)現(xiàn),隨著實驗條件不同,多孔硅的發(fā)光峰位有“紅移”也有“藍移”現(xiàn)象,峰位發(fā)生移動可能是由多孔硅的表面態(tài)引起。多孔硅放置過程中,其發(fā)光性能會衰減,但對樣品進行后處理能改善其發(fā)光穩(wěn)定性。實驗所得的數(shù)據(jù)和規(guī)律,可以用量子限制模型和發(fā)光中心模型解釋,但多孔硅的光致發(fā)光跟表面態(tài)也有密切關(guān)系。多孔硅的制備存在最佳條件,不同條件下制得的樣品其發(fā)光強度和峰值不同。為了獲得性