納米砷化鎵(GaAs)薄膜的電化學(xué)制備與研究.pdf

1、聲明尸叫本人鄭重聲明：所呈交的學(xué)位論文，是本人在指導(dǎo)教師的指導(dǎo)下，獨立進行研究所取得的成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，本論文不包含其他個人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的科研成果。對本文的研究做出重要貢獻的個人和集體，均已在文中以明確方式標(biāo)明。本聲明的法律責(zé)任由本人承擔(dān)。論文作者簽名：型叢B飄j2ot2671關(guān)于學(xué)位論文使用權(quán)的說明本人完全了解太原理工大學(xué)有關(guān)保管、使用學(xué)位論文的規(guī)定，其中包括：①學(xué)校有權(quán)保管、并向有關(guān)部門送交學(xué)位論文的原件與

2、復(fù)印件；②學(xué)校可以采用影印、縮印或其它子復(fù)制手段復(fù)制并保存學(xué)位論文；③學(xué)校可允許學(xué)位論文被查閱或借閱；④學(xué)校可以學(xué)術(shù)交流為目的，復(fù)制贈送和交換學(xué)位論文；⑤學(xué)?？梢怨紝W(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容(保密學(xué)位論文在解密后遵守此規(guī)定)。作者簽名：童l矗迫日期：主!!蘭：i：Z導(dǎo)師簽名：立：!!：：——日期：2里!三：!：2太原理工大學(xué)碩士研究生學(xué)位論文納米砷化鎵(GaAs)薄膜的電化學(xué)制備與研究摘要砷化鎵(GaAs)是一種重要的III—V族直接帶

3、隙化合物半導(dǎo)體光電材料，在室溫下(300K)其禁帶寬度&=142eV，具有很高的電子遷移率、半導(dǎo)體特性以及光電特性，是目前發(fā)展大功率電子器件的最重要也是最基本的材料之一，深受國內(nèi)外關(guān)注。廣泛應(yīng)用于微波和高速器件，光伏領(lǐng)域以及衛(wèi)星數(shù)據(jù)傳輸、通信、軍事等領(lǐng)域。工業(yè)上制備GaAs材料的方法有很多，電化學(xué)沉積法在近年來屢有報道，一般分為采用不同的電沉積二F段(主要有恒壓電沉積法，恒流電沉積法，脈沖電流沉積法，脈沖電壓沉積法等)，以及提高陰極極化

4、(主要包括不同的前驅(qū)液配比濃度及pH值，不同的基底材料，以及不同的絡(luò)合劑對實驗的影響)兩種途徑進行實驗。本文中實驗采用恒電壓沉積法，以及脈沖電流沉積法，以金屬Ga與As203為原料，在酸性前驅(qū)液中制備納米級GaAs薄膜材料，并對其形貌、化學(xué)計量比以及光學(xué)特性進行了系統(tǒng)分析。主要結(jié)果如下：(1)采用電化學(xué)恒壓法，通過不同的表征手段，分析了GaAs薄膜的電化學(xué)合成原理，并且考察了在室溫下電化學(xué)恒壓合成GaAs薄膜實驗中Ga與As的化學(xué)計量比