真空蒸發(fā)法制備氧化釩薄膜的工藝研究.pdf

1、氧化釩薄膜及其在微電子與光電子領域中的應用已經(jīng)成為國際上相關領域研究的熱點之一.在某一特定的溫度處,氧化釩薄膜發(fā)生金屬-半導體相的轉變.由于氧化釩薄膜這種優(yōu)異的電學性能,它可以被應用到許多領域,但是目前氧化釩薄膜的制備工藝還不是很成熟,需要進一步研究.該文旨在研究以真空蒸發(fā)法制備具有熱敏特性的氧化釩薄膜.該文采用真空蒸發(fā)法制備氧化釩薄膜,結合相關理論制定了一系列實驗,研究不同制備條件下所得薄膜的性能差異.實驗中以V<,2>O<,5>粉末

2、為原料采用真空蒸發(fā)法制備VOx薄膜,研究了基片類型、基片溫度、薄膜厚度、退火等因素各自對氧化釩薄膜性質的影響.運用XRD(X射線衍射)分析和SEM(掃描電子顯微鏡)分析發(fā)現(xiàn)隨著基片類型和基片溫度的不同,薄膜成分、物相以及表面形貌有明顯差異;經(jīng)過電性能測試發(fā)現(xiàn)隨著基片類型、基片溫度、薄膜厚度以及測試方法的不同,薄膜的電阻率和電阻溫度系數(shù)發(fā)生顯著變化.通過實驗,我們制備出粒徑為200nm的多晶氧化釩薄膜,最高的TCR(電阻溫度系數(shù))達到-3