熱蒸發(fā)分解法制備多晶氧化鋅薄膜以及性能研究.pdf

1、氧化鋅是一種多用途的寬禁帶半導(dǎo)體材料。相比傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料，ZnO薄膜具有成本低廉，生長溫度低，禁帶寬度大(3．37eV)，激子復(fù)合能高(60meV)，受激輻射閾值較低，能量轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)點。近年來，ZnO作為寬禁帶半導(dǎo)體材料的研究尤其受到人們的重視。在本論文中，我們發(fā)展了一種簡單的制備ZnO薄膜的方法一熱蒸發(fā)分解法，并通過襯底溫度控制，得到兩種導(dǎo)電類型的薄3膜(p型／n型)。利用掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射儀(XRD)、Hal

2、l效應(yīng)測試儀、熒光光譜儀等手段對ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)和電學(xué)、光學(xué)性能進行了分析。通過SEM觀察，發(fā)現(xiàn)在不同襯底溫度下，薄膜表面具有不同形貌特征。XRD結(jié)果表明，ZnO薄膜為六角纖鋅礦結(jié)構(gòu)，但在高角度時可以觀察到衍射峰的分裂，表明了ZnO薄膜中結(jié)構(gòu)的非均一性。所得到的ZnO薄膜在藍光波段具有強烈的受激發(fā)射?；魻栃?yīng)測量顯示在襯底溫度低于480℃時，薄膜為空穴導(dǎo)電(p-type)，而高于480℃時，為電子導(dǎo)電(n-type)。并在此基礎(chǔ)上探討了