氧化釩薄膜的快速熱氧化法制備工藝與相變特性研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、二氧化釩(VO2)薄膜材料在68℃附近會發(fā)生由半導(dǎo)體相向金屬相的可逆相變,主要體現(xiàn)在相變前后其電學(xué)、磁學(xué)、光學(xué)(太赫茲THz波段)等特性的變化。這便使其在光器件、存儲領(lǐng)域、智能窗等方面有著廣泛前景,所以如何制備出性能優(yōu)良的VO2薄膜一直是學(xué)者關(guān)注的熱點。
  傳統(tǒng)的反應(yīng)濺射法制備氧化釩(VOx)薄膜,為了達到更好的相變效果,一般情況下都要經(jīng)過熱處理。由于Ar和O2壓強比不易控制,導(dǎo)致實驗穩(wěn)定性和可重復(fù)性較差,常規(guī)熱處理工藝也使得薄

2、膜制備周期較長。本文首先利用磁控濺射法在Si基底上制備純金屬釩(V)膜,然后結(jié)合快速熱處理工藝(RTP)熱氧化金屬V膜來獲得VOx薄膜。這種工藝優(yōu)點在于不僅將熱處理與熱氧化合二為一,并且采用快速熱處理工藝,將整個實驗周期大大縮短,同時又省去了不易控制的調(diào)節(jié)Ar和O2壓強比,使得整個工藝簡潔、快速、可控性好。
  對所制備的VOx薄膜,利用X射線衍射儀(XRD)、X射線光電子能譜(XPS)和掃描電子顯微鏡(SEM)對其結(jié)晶結(jié)構(gòu)、薄膜

3、中V的價態(tài)與組分及表面微觀形貌進行分析,應(yīng)用四探針測試方法和太赫茲時域頻譜技術(shù)(THz-TDS)對樣品的電學(xué)和光學(xué)特性進行測試。結(jié)果表明:在一定范圍的快速熱處理保溫溫度和保溫時間下,都可以制備出具有熱致相變特性的VOx薄膜,相變前后薄膜的方塊電阻變化超過兩個數(shù)量級,薄膜成分主要由V2O5和VO2混合組成。對于不同厚度的薄膜,濺射金屬釩的時間在20min-40min范圍內(nèi)所得到的熱致相變性能最佳。對于濺射金屬V膜時間在20min的薄膜,5

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