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1、本文采用射頻磁控濺射的方法在多種襯底上沉積了高品質(zhì)的VO2薄膜;分析了VO2薄膜的相變機(jī)理以及影響其相變過(guò)程的因素;利用X射線衍射儀(XRD)分析了VO2薄膜的微結(jié)構(gòu),利用傅里葉紅外光譜儀對(duì)VO2薄膜的光學(xué)性能進(jìn)行了研究,發(fā)現(xiàn)在特定溫度下VO2薄膜發(fā)生相變,其光學(xué)性能隨之發(fā)生突變;并對(duì)VO2薄膜在波長(zhǎng)為1.319μm激光器照射下的相變特性進(jìn)行了研究。結(jié)果表明,入射到薄膜表面的平均功率為8.9W,光斑直徑2mm時(shí),激光出光480ms后,V
2、O2薄膜的溫度從室溫上升到約100℃,薄膜發(fā)生了相變,其對(duì)1.319μm激光的透過(guò)率從相變前的48%降為相變后的28%。通過(guò)以上結(jié)果可知,為了進(jìn)一步提高VO2薄膜的實(shí)用性,可以通過(guò)降低其相變溫度,增大相變前后透過(guò)率的變化來(lái)實(shí)現(xiàn),達(dá)到上述目的的關(guān)鍵在于制備出高品質(zhì)的VO2薄膜;接著探索了非理想配比對(duì)VO2薄膜喇曼光譜的影響,討論了非理想配比導(dǎo)致VO2薄膜喇曼光譜變化的原因;最后介紹了VO2薄膜的光電特性,并探討了其在激光防護(hù)應(yīng)用方面的相關(guān)
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