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文檔簡介
1、TiO2作為一種廉價、無毒、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定的半導(dǎo)體,目前已成為研究最為廣泛的太陽能電池用材料之一。但TiO2禁帶寬度較寬,對太陽能的利用率很低,限制了其在太陽能領(lǐng)域的實際應(yīng)用。因此對TiO2進(jìn)行各種摻雜,以提高其對太陽光的利用率。
本文分別采用溶膠-凝膠法和磁控濺射法制備了純 TiO2薄膜,并采用溶膠-凝膠法和離子注入技術(shù)對TiO2薄膜進(jìn)行改性研究。在溶膠-凝膠法制備TiO2薄膜過程中將Ge摻入TiO2薄膜;在溶膠-凝膠法制
2、備的TiO2薄膜中,用離子注入技術(shù)進(jìn)行了Fe、Cr的單獨注入以及復(fù)合注入;在磁控濺射法制備的TiO2薄膜中,分別進(jìn)行Ge、Si的單獨和復(fù)合注入。考察了摻雜方式和摻雜離子對薄膜表面形貌、結(jié)晶、表面化學(xué)態(tài)和光學(xué)性能的影響,結(jié)果如下。
XRD及XPS的研究結(jié)果表明,溶膠凝膠法和磁控濺射制備的TiO2薄膜為銳鈦礦型;但薄膜的表面化學(xué)態(tài)及價鍵狀態(tài)有所不同,最終導(dǎo)致兩者光性能的差異。溶膠的配比對薄膜質(zhì)量有影響。
采用溶膠
3、-凝膠法對TiO2進(jìn)行Ge摻雜及還原處理,薄膜產(chǎn)生了一定紅移,摻雜Ge:Ti=3:7的薄膜紅移顯著,同時聚乙二醇的加入有利于薄膜紅移。溶膠凝膠法在不同室溫下制備薄膜結(jié)晶性、Ge存在方式、紫外-可見吸收不同。室溫22℃條件下制備的薄膜及其中Ge的結(jié)晶性很好;XPS分析表明,Ge大部分以單質(zhì)形式存在;18℃條件下?lián)诫s薄膜結(jié)晶性差,Ge主要以氧化鍺形式存在。
Fe、Cr離子復(fù)合注入后,薄膜的結(jié)晶性變差;XPS分析結(jié)果顯示,F(xiàn)e、
4、Cr分別以單質(zhì)和氧化物形式存在:光學(xué)性能較單獨注入Fe的有所下降。分析表明,兩種離子的相互作用最終使得薄膜中有效離子濃度降低,Cr的存在使Fe得紅移效果降低。
與Fe、Cr離子復(fù)合注入不同,在磁控濺射法制備的 TiO2薄膜中,Si、Ge復(fù)合注入使得薄膜的紅移效果顯著,但結(jié)晶性變差;XPS分析Ge、Si表明;Si以氧化態(tài)存在,Ge以單質(zhì)存在,兩種離子的相互作用,使復(fù)合注入的薄膜光學(xué)性能有大幅度提高。
以上研究結(jié)
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