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文檔簡介
1、本文采用電化學(xué)沉積法,首次以硫酸銅和硫氰酸鉀的水溶液為前驅(qū)體原料,在ITO導(dǎo)電玻璃上沉積出了性能良好的p-CuSCN半導(dǎo)體薄膜.考察了各種工藝參數(shù)對CuSCN薄膜的性能的影響,對電沉積過程中的伏安特性進行了綜合分析,確定了電沉積的最佳條件.對于電沉積過程中薄膜生長機理進行了初步的探討.利用線性伏安法考察了電沉積溶液的電化學(xué)性質(zhì),確定合適的沉積電位,并記錄電沉積過程的伏安特性.電沉積溶液中SCN<'->的含量、沉積電位、溶液的濃度等都是影
2、響薄膜性能的重要因素.當(dāng)Cu<'2+>的濃度固定時,溶液中摩爾比Cu/SCN=2:1時薄膜的形貌最好,薄膜中SCN的化學(xué)計量比隨著溶液中SCN<'->含量的增大而增大,且呈線性關(guān)系;在200mv--500mv的電位范圍內(nèi)可以避免沉積p-CuSCN薄膜時金屬單質(zhì)的生成,沉積電位過正時(超過200mv),不能沉積上薄膜,沉積電位比-500mv更負(fù)時發(fā)生金屬銅和CuSCN共沉積,最佳的沉積電位為-500mv;濃度過大或過小都不利于沉積,試驗確
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