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文檔簡介
1、ZnO薄膜是一種具有纖鋅礦結構的半導體材料，作為一種具有寬帶隙、低介電常數(shù)、高化學穩(wěn)定性及優(yōu)異的光電、壓電特性的功能材料在許多領域尤其是光電器件領域有著重要應用。近年來，對其研究和開發(fā)在國內(nèi)外科學界及工業(yè)部門引起了極大的關注和興趣。 本文用含有ZnCl<,2>的二甲基亞砜溶液做電解液，采用陰極電沉積的方法在導電玻璃上制備了ZnO納米薄膜。研究了沉積參數(shù)對ZnO薄膜的結構和性能的影響。采用X-射線衍射、掃描電鏡測試、吸收譜和霍爾測
2、試等手段對薄膜的結構及光電性能進行了系統(tǒng)的表征。XRD分析表明本實驗制備的ZnO薄膜為纖鋅礦結構；擇優(yōu)取向隨電流值的變化發(fā)生了轉變；電解液溫度的升高能促進ZnO納米薄膜的(002)面(C軸)擇優(yōu)取向的程度。光學測試表明薄膜的透射率最大值可達84％，禁帶寬度接近于3.3eV。霍爾測試表明制備的薄膜的面電阻值最小為7.57×10<'4>Ω/sq．。借助電沉積法制備ZnO薄膜的方法和體系，本文制備出了純度較高、具有強的(200)晶面擇優(yōu)取向生
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