p-CuSCN薄膜的制備及其性能的研究.pdf

1、學位論文獨創(chuàng)性聲明學位論文獨創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學位論文是本人在導師指導下進行的研究工作及取得的研究成果。據我所知，除了文中特別加以標注和致謝的地方外，論文中不包含其他人已經發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不包含為獲得直昌太堂或其他教育機構的學位或證書而使用過的材料。與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻均已在論文中作了明確的說明并表示謝意。學位論文作者簽名(手寫)：毒#志慧簽字日期：2012年歲月27日學位論文版權使用授權書本學位論文

2、作者完全了解南昌大學有關保留、使用學位論文的規(guī)定，有權保留并向國家有關部門或機構送交論文的復印件和磁盤，允許論文被查閱和借閱。本人授權南昌大學可以將學位論文的全部或部分內容編入有關數據庫進行檢索，可以采用影印、縮印或掃描等復制手段保存、匯編本學位論文。同時授權中國科學技術信息研究所和中國學術期刊(光盤版)電子雜志社將本學位論文收錄到《中國學位論文全文數據庫》和《中國優(yōu)秀博碩士學位論文全文數據庫》中全文發(fā)表，并通過網絡向社會公眾提供信息服

3、務。(保密的學位論文在解密后適用本授權書)學位論文作者簽名(手寫)：薜志、冀，簽字日期：汐f2年籮月27日翩手寫靜嚦簽字瞧J彬／ym廠月夕日摘要10111111111111q11111lllllllllIIIIIIIIIIIIIIlUlY2140955摘要納米晶太陽電池以其制備簡單、成本低、發(fā)展空間廣等優(yōu)勢得到了廣泛的關注。太陽電池的光陽極主要材料有ZnO和Ti02，而pCuSCN與兩者的能帶匹配良好，有著較高的光透過率、較好的穩(wěn)定性和

4、良好的半導體性能方便空穴的傳輸等優(yōu)點，是優(yōu)良的太陽電池P型窗口材料，成為近年來的研究熱點。本文主要綜述了太陽能電池的發(fā)展現狀，并以水為溶劑，用不同的絡合劑掩蔽Cu2，制備了穩(wěn)定的電沉積液，采用電化學沉積法在ITO導電玻璃上制備出了化學性能穩(wěn)定、形貌良好、高純度、透光性良好的CuSCN薄膜，對沉積液的線性伏安曲線掃描表明，適合的沉積電壓為200～600mV。采用XRD、FEESEM、EDS、UV_VIS等表征了材料的各參數，結果顯示：薄膜

5、為P型半導體；XRD圖譜基本上無雜峰，純度很高，晶粒生長的取向十分明顯；形貌為完美的三角錐形，晶粒的生長服從島狀生長模式；對薄膜進行光學性能分析表明，薄膜在300～400nlTl處有很強的吸收，計算表明，材料的禁帶寬度為352eV。通過分析恒定電壓下，電流一時間曲線，分析了薄膜的形成機理。討論了不同的絡合物對實驗結果的影響，最終確定乙醇胺的絡合效果最好。研究了不同化學計量比、不同的沉積時間及沉積電壓對薄膜的形貌、粒徑等的影響，最后得出最