PZT膜的應力效應和CCTO替代效應研究.pdf

1、鐵電材料在鐵電存儲器、紅外探測器、聲表面波和集成光電器件等固態(tài)器件方面有著非常重要的應用，極大地推動了鐵電物理學及鐵電材料的研究和發(fā)展。目前應用最好的是具有ABO3鈣鈦礦結構的Pb(Zr，Ti)O3(PZT)系列。在居里溫度附近，PZT薄膜具有極高的介電常數(shù)(可達1000-10000)，但是PZT薄膜的鐵電、介電性質會受到它生長的襯底的影響。本文的第一部分用修正的朗道熱力學理論研究在Mg0襯底上生長的Pb(Zr0.7，Ti0.3)O3薄

2、膜的鐵電和介電性質。注意到薄膜制備過程中產生的熱應力隨位置變化并由彈性力學決定其形式，發(fā)現(xiàn)PZT膜中兩相共存，從而影響其鐵電、介電性質。
　　 CCTO(CaCu3Ti4O12)陶瓷樣品具有高達10000的相對介電常數(shù)，并且在100K-600K之間相對介電常數(shù)值基本不隨溫度變化。在100K附近，其介電常數(shù)有2-3個量級的降低，卻沒有發(fā)現(xiàn)任何結構相變的發(fā)生。但是對于其高介電的起因仍存在爭議。本文研究A位替代對CCTO類材料介電常數(shù)