化學(xué)液相淀積法制備氧化鋁薄膜.pdf

1、無(wú)機(jī)氧化物薄膜在現(xiàn)代微電子學(xué)、固體電子學(xué)和光學(xué)工程中有廣泛的應(yīng)用.氧化物薄膜的制備已經(jīng)成為凝聚態(tài)物理學(xué)的一個(gè)研究熱點(diǎn).傳統(tǒng)制備氧化物薄膜的方法包括熱氧化、化學(xué)汽相淀積、金屬有機(jī)物化學(xué)汽相淀積、溶膠凝膠法等等.但是,這些方法大多要求非常復(fù)雜的實(shí)驗(yàn)設(shè)備,而且不容易操作.一種新的制備氧化物薄膜的方法——化學(xué)液相淀積(CLD)于1988年被Nagayama等人首次提出.它可以在更為簡(jiǎn)單的實(shí)驗(yàn)條件下制備氧化物薄膜,因此引起了人們的極大興趣.但是,

2、在全球范圍內(nèi),化學(xué)液相淀積氧化鋁薄膜尚未被研究過(guò).在該文中,我們將報(bào)導(dǎo)制備氧化鋁薄膜的CLD新方法.首先,我們先仔細(xì)研究了化學(xué)液相淀積氧化硅薄膜的過(guò)程(主要是參考Houng等人的工作).然后,通過(guò)一套包括浸在水浴裝置中的聚四氟乙烯生長(zhǎng)室的實(shí)驗(yàn)裝置系統(tǒng),我們完成了化學(xué)液相淀積氧化鋁薄膜的實(shí)驗(yàn)過(guò)程.制備生長(zhǎng)液所用的化學(xué)試劑包括Al<,2>(SO<,4>)<,3>·18H<,2>O、NaHCO<,3>和去離子水.這是一個(gè)無(wú)機(jī)鹽水解和高溫退火的