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文檔簡介
1、近年來，等離子顯示器PDP由于其出色的顯示效果已經(jīng)成為高清電視等高清顯示設(shè)備的主流產(chǎn)品之一。目前限制PDP顯示設(shè)備普及的主要因素是制造成本過高，而PDP驅(qū)動芯片占整個設(shè)備造價的20％左右。因此，保證PDP驅(qū)動芯片的可靠性顯得尤其重要，而靜電放電是可靠性的一個重要因素。本課題的研究任務(wù)是針對基于SOI工藝的PDP行掃描驅(qū)動芯片，研究功率集成電路中的ESD現(xiàn)象，設(shè)計(jì)出實(shí)際可行的ESD保護(hù)方案。
本文首先研究了SOI工藝高壓器件在E
2、SD條件下的器件特性和工作性能，主要有高壓二極管、LDNMOS、LIGBT三種高壓器件。然后分別對上述器件的ESD參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化仿真，以設(shè)計(jì)得到具有更高的ESD能力的結(jié)構(gòu)。在完成器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化后，本文研究了ESD器件的版圖繪制問題，對上述三種器件的版圖給出了優(yōu)化方案
最后，我們對ESD防護(hù)器件和包含全芯片ESD保護(hù)方案的PDP驅(qū)動芯片進(jìn)行了流片驗(yàn)證，并對流片結(jié)果進(jìn)行了TLP測試。測試結(jié)果表明器件的開啟電壓在TLP測試條件下相比直
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