邏輯器件側(cè)墻蝕刻工藝研究.pdf

1、我們正經(jīng)歷著一場全新的技術(shù)革命，這場技術(shù)革命的推動力正是半導體產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，而推動半導體發(fā)展的又是其設(shè)計及制造工藝的不斷創(chuàng)新。目前國際上的半導體制造工藝已經(jīng)進入了納米時代，世界級的制造大廠已經(jīng)進入32nm工藝大生產(chǎn)階段，并正朝著更小的工藝線寬前進；我國大批量生產(chǎn)的工藝線，八寸線主要還是0.13微米工藝，十二寸線則進入了65nm工藝。隨著生產(chǎn)工藝線的持續(xù)使用和設(shè)備的不斷老化，出現(xiàn)了很多新的問題。本文就八寸生產(chǎn)線0.13微米工藝側(cè)墻蝕刻出

2、現(xiàn)的問題，分三個部分展開研究。
　　對0.13微米工藝側(cè)墻蝕刻工藝及其設(shè)備的研究：論文對0.13微米工藝做了分析，并對側(cè)墻蝕刻工藝的原理及具體的蝕刻方法做了詳細的研究，尤其是對側(cè)墻的結(jié)構(gòu)和氮化硅及二氧化硅的蝕刻進行了深入的研究。論文還對側(cè)墻蝕刻的SuperE設(shè)備的結(jié)構(gòu)及各部件的特性做了詳細的分析。
　　對側(cè)墻蝕刻中出現(xiàn)的對良率影響非常大的缺陷問題進行了研究，并最終找出了問題的真正原因。論文先是從蝕刻設(shè)備的角度嘗試尋找解決問題

3、的辦法，包括常用的部件及真空系統(tǒng)等，但效果并不明顯。又采用了正交實驗的方法，按蝕刻步驟逐步分析工藝參數(shù)中影響缺陷的因素。最終發(fā)現(xiàn)是因為真空系統(tǒng)的老化和蝕刻工藝的不完善才導致了缺陷。
　　對側(cè)墻蝕刻后殘余二氧化硅厚度控制的研究。殘余二氧化硅是指側(cè)墻蝕刻后襯底上剩余的二氧化硅。因為它既能反應側(cè)墻蝕刻的效果又可作為后繼離子注入的阻擋層，所以對其厚度的控制就非常關(guān)鍵。論文通過正交實驗首先找到了影響殘余二氧化硅厚度的工藝參數(shù)，即氧氣流量，但