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1、論文指導(dǎo)小組校內(nèi)導(dǎo)師:王家楫企、】k導(dǎo)帥:裴慧元WaferEdgePlasmaCleanTechniqueandProcessOptimizationAbstractWithrapiddevelopmentofULSltechnologynhstackbecomesmorecomplexlhanbeforeFilmstackwitleasilydelaminateatwaferedgewithfhechanges仃Ommorecompl
2、exandthicker6lmstructureForone300mmdiameterwafertheregionIn20mmwaferedgeexc(usioncontains25%ofwholewafer。schipamountThereforewholewaferyieldwillbeaffectedbywaferedgedefeclOncenlmstackpeelsalwaferedgeflakingdefecwillbeIra
3、nsferredtowafercenterbyflowingliquidInwetcleanprocessandIhenyieldofwafercenterareaw川beimpactedbythisdefectPlasmabevelcleanlsuniquelydesignedandusedlnplasmacleanatwaferedgeareaIntheexperimentTheetchratedistributioncurvepr
4、oflieandselectivitvIntovaries俐mmaterialscanbemodifiedwithadjustmentofprocessparametersegPEZringdiameterpowergapandprocessgascomponentlnexperimentandsemiconductormanufactorywaferedgedefecIdistributioncanbeclarified,andsui
5、tablePEZringsizecanbeselectedbytogetherwithopticalinspectionandwaferedgedefectSCaRWaferedge川mstructurecanbeinspectedbycrosssectionSEMIhenprocessconditioncanbeselectedProcesstimealsocanbecalculatedbyetchratemeasurementwit
6、hselectedprocessconditionOpticalinspectioncrosssectionSEMinspectionandwaferedQedefectscanneedfoberepeatedwhentestwaferlsetchedWithlheprocedureupon,processsetuplscompletedAfterprocesssetupcompletion,splitexperimentandrisk
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