亞微米光刻質(zhì)量的控制技術(shù)研究.pdf

1、在集成電路的生產(chǎn)中，光刻技術(shù)已經(jīng)成為集成度提高的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，光刻質(zhì)量的好壞嚴(yán)重的影響器件的性能和產(chǎn)品的良率。實(shí)踐表明，光刻對(duì)集成電路產(chǎn)品成品率的影響可以達(dá)到50﹪以上。然而隨著集成度的提高，線寬尺寸的減小，對(duì)光刻的要求越來越高，也就使光刻質(zhì)量的控制越來越困難。尤其是進(jìn)入亞微米線寬時(shí)，要求線寬的控制精度小于10﹪；邊墻角大于85°；對(duì)準(zhǔn)精度小于線寬的1/4；進(jìn)行缺陷控制使器件成品率大于90﹪。
　　為了提高集成電路的產(chǎn)品性能和成品率，

2、本課題的研究主要著重于從光刻工藝中分析質(zhì)量異常的原因，并提出光刻質(zhì)量控制方法。本文采用光刻質(zhì)量控制方法大概可以分為三類：
　　1.線寬和輪廓控制是光刻質(zhì)量控制的核心和關(guān)鍵。本文對(duì)線寬的變化機(jī)理進(jìn)行了研究，提出了曝光工藝窗口、晶圓平整度、膜厚、表面反射和駐波效應(yīng)、顯影、掩膜版六個(gè)主要影響原因，并進(jìn)行分析和測試實(shí)驗(yàn)，提出了控制質(zhì)量的方法。
　　2.除了線寬控制，對(duì)準(zhǔn)控制也是一個(gè)不容忽視的質(zhì)量控制問題，尤其是對(duì)集成電路生產(chǎn)中，層間

3、工藝較多時(shí)，問題更為突出。文中對(duì)NSR套刻的原理、不同標(biāo)志（LSA、LIA、FIA、WGA）的適用的條件、和常見的對(duì)偏情況，進(jìn)行了研究和分析，并進(jìn)行了測試實(shí)驗(yàn)，提出了控制、匹配、檢測和調(diào)整的方法。
　　3．缺陷問題對(duì)產(chǎn)品的質(zhì)量也有影響，尤其是對(duì)新引進(jìn)的生產(chǎn)線影響特別大（可以將成品率由試運(yùn)行階段的20﹪左右，提高到成熟工藝的90﹪以上）。本文對(duì)缺陷的種類和產(chǎn)生的原因進(jìn)行了分析，提出了不同產(chǎn)生原因下的控制方法。
　　本文同時(shí)還研