超深亞微米下一種光刻仿真工具的系統(tǒng)框架研究及其實(shí)現(xiàn).pdf

1、集成電路設(shè)計(jì)和制造已經(jīng)發(fā)展進(jìn)入超深亞微米階段，從0.18um技術(shù)節(jié)點(diǎn)開(kāi)始，半導(dǎo)體制造工藝中廣泛采用了亞波長(zhǎng)光刻技術(shù)。當(dāng)集成電路的特征尺寸接近曝光系統(tǒng)的理論分辨率極限時(shí)，光刻后硅片表面的圖像將發(fā)生明顯的畸變，即光學(xué)鄰近效應(yīng)(OPE)。版圖圖像轉(zhuǎn)移過(guò)程的失真，將影響產(chǎn)品的性能參數(shù)，直接降低了集成電路的成品率。分辨率增強(qiáng)技術(shù)已經(jīng)在亞波長(zhǎng)光刻集成電路設(shè)計(jì)制造中被廣泛使用，并解決了一部分制造問(wèn)題。 在光刻分辨率增強(qiáng)技術(shù)中，需要相關(guān)的EDA

2、工具支持。目前主要的兩個(gè)分辨率增強(qiáng)技術(shù)分別是光學(xué)鄰近校正(OPC)和移相掩模技術(shù)(PSM)，它們都需要光刻仿真過(guò)程來(lái)指導(dǎo)和支持。利用光刻過(guò)程模型，來(lái)預(yù)測(cè)實(shí)際光刻條件下掩模在硅片表面的所成圖像。 本文在認(rèn)真研究集成電路制造過(guò)程的條件下，分析光刻機(jī)系統(tǒng)的構(gòu)造及成像原理，對(duì)光刻仿真工具的系統(tǒng)框架進(jìn)行了深入研究，建立了光刻機(jī)照明系統(tǒng)、掩模及光學(xué)成像過(guò)程的模型，實(shí)現(xiàn)了光刻過(guò)程的模擬。本文在對(duì)整個(gè)光刻仿真系統(tǒng)框架研究和現(xiàn)有光刻仿真工具總結(jié)的