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文檔簡介
1、在0.25um以下的高階制程中,通常使用蝕刻形成STI(Shallow Trench Isolation)淺溝槽的方式來達到元器件相隔絕的目的。由于制程能力的限制,STI淺溝槽拐角處的硅襯底與一般平坦的硅襯底的氧化速率存在差異,所以整個MOS器件的淺溝槽拐角處的氧化層厚度及平滑度是比較難控制的,這直接影響了柵極氧化層的可靠性。突出表現(xiàn)在TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)測試不易得到較好的結(jié)
2、果。本課題主要介紹在廠內(nèi)對0.18um EPFLASH(Embedded P-Channel Flash) CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)產(chǎn)品工藝進行可靠度評價后,通過對柵極氧化層VBD(Voltage to Breakdown)可靠性均勻度差的問題分析,找出工藝步驟的中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),進行多項指標(biāo)監(jiān)測試驗,由各種條件組合下的工程試驗數(shù)據(jù)的支持,得出產(chǎn)品在CMP(Chemical
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