抗輻照SOI MOSFET模型研究.pdf

1、與傳統(tǒng)體硅相比，SOI材料集成度高、抗輻照能力強(qiáng)、功耗低，速度快、適用于小尺寸器件，能夠克服體硅材料的不足，最大程度的發(fā)揮硅集成電路存在的潛力，在抗輻照電路，深亞微米器件，三維集成電路和高溫電子學(xué)等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。SOI CMOS器件普遍應(yīng)用于航天系統(tǒng)，核電設(shè)備電子，軍事工程等特殊領(lǐng)域。輻射環(huán)境產(chǎn)生的輻照效應(yīng)會造成電子元器件及集成電路的性能退化，出現(xiàn)邏輯錯誤或永久性損傷，嚴(yán)重影響電子系統(tǒng)的穩(wěn)定性與可靠性，甚至完全失效，因此如何提高

2、SOI器件的抗輻照性能成為近年來國內(nèi)外普遍研究的重點(diǎn)。
　　本文對SOI CMOS器件在輻照環(huán)境下的各種物理機(jī)制，模型與模型參數(shù)進(jìn)行深入研究，分析總劑量輻照效應(yīng)對微電子器件性能的退化，研究SOI CMOS的抗輻照模型。論文的主要工作如下：
　　1、詳細(xì)闡述輻照環(huán)境與SOI MOSFET器件基本物理特性，通過分析SOI MOSFET器件的總劑量輻射效應(yīng)和現(xiàn)有的抗輻照技術(shù),深入探討SOI CMOS器件電學(xué)特性退化機(jī)制如閾值電壓漂

3、移、亞閾值斜率變化（泄漏電流增大）等,為后續(xù)抗總劑量輻射SOI MOSFET結(jié)構(gòu)提出奠定基礎(chǔ)。
　　2、詳細(xì)闡述SOI MOSFET器件的抗總劑量輻照特性，從電路仿真的器件模型出發(fā)，熟悉BiCMOS器件建模流程，順利完成SOI MOSFET抗輻照模型的建立，為器件抗輻照工藝與電路設(shè)計(jì)之間的連接提供橋梁。
　　本文深入研究SOI器件的抗輻照特性，并在BSIM3SOI的Verilog-A模型基礎(chǔ)上順利完成了0.8μm SOI C