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文檔簡介
1、記憶元件是指具有記憶特性的元器件,它包括憶阻器、憶容器以及憶感器。這三種器件都是非線性器件,其狀態(tài)取決于該器件的歷史狀態(tài),且當輸入正弦信號時,憶阻器的i-v曲線、憶容器的q-v曲線和憶感器的i-φ曲線都是滯回曲線。記憶元件因其獨特的性質(zhì),被廣泛應用于存儲、人工神經(jīng)網(wǎng)絡、非線性科學等領域。
本文對基于記憶元件的非線性電路進行了研究,主要進行了以下幾個方面的工作:
1.根據(jù)憶阻器原理,構建了二階以及三階憶阻器模擬電路,并
2、在此基礎上通過二端口網(wǎng)絡將二階以及三階憶阻器轉(zhuǎn)換成對應的二階以及三階憶容器模擬電路。仿真和實驗結果表明,在輸入正弦信號時,得到的憶阻器和憶容器都具有滯回特性,滿足憶阻器和憶容器的性質(zhì)。
2.研究了基于二階憶容器的RC低通濾波電路的濾波特性。仿真和實驗結果表明,該電路可以通過低頻信號,對高頻信號具有較強的抑制作用;且該濾波電路與傳統(tǒng)RC低通濾波電路相比,具有截止頻率可變的特性。
3.設計了一種基于憶阻器的Duffing
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