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1、鐵電薄膜是集鐵電、壓電、熱釋電、電光及非線性光學(xué)于一體的多功能材料.采用MOD法在Si（100）襯底上直接沉積了BLT）（0.75）薄膜.在BLT（0.75）和Si襯底之間加入Bi<,2>Ti<,2>O<,7>層,制備出金屬/鐵電薄膜/緩沖層/半導(dǎo)體/金屬結(jié)構(gòu).La取代后可以優(yōu)化Bi<,4>Ti<,3>O<,12>的性能因而可以改善器件的性能,從此意義上看,系統(tǒng)地研究La取代濃度對材料的影響是十分必要的.La濃度對BLT（x）的絕緣性也
2、有影響,Ⅰ-Ⅴ特性曲線顯示薄膜在低電壓范圍內(nèi)導(dǎo)電遵守Ohmic規(guī)律,而在較高電壓范圍導(dǎo)電遵守空間電荷限制機理.為BLT（x）薄膜進行了光電子能譜分析.作者采用金屬有機分解法制備鈦酸鉍納米晶時發(fā)現(xiàn),Bi<,20>TiO<,32>在Bi<,2>Ti<,2>O<,7>納米晶的形成過程中是亞穩(wěn)相,并且第一次觀察到Bi<,20>TiO<,32>以納米錐的形式存在.根據(jù)實驗現(xiàn)象提出了納米錐形成的可能機理.利用MOD法成功地制備了Bi<,2>Ti<,
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