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1、Bi4TiO12(BIT)薄膜具有優(yōu)良的介電、鐵電、壓電和光電特性,且抗輻射性強(qiáng),不揮發(fā),己廣泛地應(yīng)用于微電子,集成光學(xué)和微機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)等高技術(shù)領(lǐng)域。 PZT的制備方法有很多,其中溶膠一凝膠(Sol-Gel)方法可以和集成電路(IC)光刻工藝相互兼容,處理溫度低,有大面積涂敷性能,能精確地控制組分,無需復(fù)雜的真空設(shè)備,成本低廉,所以對于集成鐵電薄膜電容的應(yīng)用這種方法有很廣闊的前景。本文利用溶膠凝膠工藝(Sol-Gel)在Pt/T
2、i/SiO2/p-Si襯底上成功制備了Bi4Ti3O12(BIT)薄膜,并運(yùn)用了X射線衍射(XRD)和原子力顯微鏡(AFM)對薄膜微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析。
同時我們在深入研究了鐵電薄膜參數(shù)測量原理以及電路失真糾正算法的基礎(chǔ)上,完成了薄膜參數(shù)測試系統(tǒng)的硬件和軟件設(shè)計;降低了薄膜的研究費(fèi)用。根據(jù)系統(tǒng)具體的調(diào)控需求開發(fā)了系統(tǒng)上位機(jī)的控制軟件,實現(xiàn)了計算機(jī)對測試系統(tǒng)的調(diào)試與控制。該系統(tǒng)價格低廉,電路簡單,大大降低了薄膜的研究費(fèi)用。它具有如
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