關(guān)于提高芯片ICS模塊良品率的研究.pdf

1、關(guān)于提高芯片關(guān)于提高芯片ICS模塊良品率的研究模塊良品率的研究ResearchontheYieldImprovementofICSModule領(lǐng)域：電子與通信工程研究生：徐明皞指導(dǎo)教師：金杰教授企業(yè)導(dǎo)師：曹建光高工天津大學(xué)電子信息工程學(xué)院二零一三年十一月摘要在半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)測(cè)試過(guò)程中，測(cè)試廠需要在各種不同的環(huán)境溫度下對(duì)半導(dǎo)體芯片的各個(gè)功能模塊進(jìn)行測(cè)試，以保證芯片在用戶手冊(cè)允許的工作環(huán)境范圍內(nèi)都具有良好的性能，達(dá)到用戶手冊(cè)中的指標(biāo)要求。

2、本論文研究對(duì)象為飛思卡爾增強(qiáng)型八位單片機(jī)SG3216系列芯片的內(nèi)部時(shí)鐘源模塊(ICS)。該模塊具有頻率修正寄存器，用戶可以通過(guò)調(diào)整頻率修正寄存器的設(shè)定值來(lái)改變ICS模塊的電性參數(shù)，達(dá)到調(diào)節(jié)輸出頻率的目的。本文通過(guò)對(duì)大量生產(chǎn)數(shù)據(jù)的總結(jié)，發(fā)現(xiàn)ICS模塊在測(cè)試過(guò)程中存在比較嚴(yán)重的過(guò)殺問(wèn)題。論文針對(duì)具有普適性的樣本，設(shè)計(jì)合理的實(shí)驗(yàn)，對(duì)測(cè)試溫度、頻率修正寄存器設(shè)定值及ICS模塊實(shí)際輸出頻率三者之間的關(guān)系進(jìn)行分析驗(yàn)證。針對(duì)當(dāng)前生產(chǎn)中的次品，分析通過(guò)

3、調(diào)整頻率修正寄存器設(shè)定值，來(lái)減少測(cè)試過(guò)殺的可行性。對(duì)當(dāng)前的測(cè)試方法進(jìn)行改進(jìn)，采用問(wèn)題預(yù)案的思路，在第一溫測(cè)試時(shí)，為頻率修正寄存器驗(yàn)證多個(gè)滿足要求的設(shè)定值；在第二溫測(cè)試時(shí)，根據(jù)測(cè)試結(jié)果，為產(chǎn)品的頻率修正寄存器選定最佳設(shè)定值，以便使ICS模塊的頻率輸出達(dá)到更高精度，實(shí)現(xiàn)減少過(guò)殺、提高良品率的目的。本文所提出的新測(cè)試方法已投入到正式生產(chǎn)中，經(jīng)過(guò)大批量的實(shí)際生產(chǎn)驗(yàn)證，良品率提升效果明顯。并已成功推廣到飛思卡爾S08單片機(jī)的SG84、EL3216