基于ARM彈底壓力測(cè)試及校準(zhǔn)技術(shù)的探索性研究.pdf

1、隨著火炮技術(shù)的不斷發(fā)展，炮彈初速和膛內(nèi)壓力不斷增高，經(jīng)典內(nèi)彈道理論難以作出圓滿解釋的現(xiàn)象越來(lái)越多，膛內(nèi)故障也越來(lái)越嚴(yán)重，彈底壓力測(cè)試對(duì)于解決這些問(wèn)題以及現(xiàn)代火炮的彈丸設(shè)計(jì)、身管設(shè)計(jì)、引信設(shè)計(jì)以及內(nèi)彈道的研究都至關(guān)重要。另外，彈底壓力與膛底壓力究竟有什么差異，兩者之間存在著何種關(guān)系，這些理論問(wèn)題都要求得到精確的彈底壓力數(shù)據(jù)來(lái)驗(yàn)證，從而對(duì)兩者進(jìn)行分析和比較。因而迫切需要研制彈底壓力測(cè)試系統(tǒng)，并不斷提高彈底壓力測(cè)試系統(tǒng)的性能。
　　針對(duì)

2、這種高溫、高壓、高沖擊等惡劣環(huán)境下的壓力測(cè)試，本文探索性研制了一套基于ARM的微體積、低功耗、高采樣頻率的彈底壓力測(cè)試系統(tǒng)。該測(cè)試系統(tǒng)選用內(nèi)核為Cortex-M3的芯片LPC1768作為主控制器，分別利用芯片內(nèi)部集成的兩通道的AD采集彈底壓力信號(hào)和彈丸發(fā)射過(guò)程的加速度信號(hào)，并將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到芯片內(nèi)部的FLASH存儲(chǔ)器內(nèi)。此外，為了濾除彈底壓力測(cè)試中的加速度效應(yīng)的影響，提出了一種壓力傳感器加速度效應(yīng)的校準(zhǔn)方法，從而解決了彈底壓力測(cè)試中加速度效

3、應(yīng)造成的系統(tǒng)誤差。
　　本文主要闡述了以下三個(gè)方面的問(wèn)題：
　　首先，闡述了選用ARM Cortex-M3內(nèi)核的芯片作為主控制器的彈底壓力測(cè)試系統(tǒng)的整體方案設(shè)計(jì)。著重講述了彈底壓力測(cè)試系統(tǒng)中的采集方式、存儲(chǔ)方法以及低功耗設(shè)計(jì)等關(guān)鍵技術(shù)的實(shí)現(xiàn)。
　　其次，詳細(xì)闡述了彈底壓力測(cè)試系統(tǒng)的硬件調(diào)試環(huán)境、硬件電路設(shè)計(jì)以及軟件程序開(kāi)發(fā)環(huán)境、軟件設(shè)計(jì)流程等。并介紹了運(yùn)用VC軟件編寫(xiě)的讀數(shù)擦除程序界面，應(yīng)用信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生信號(hào)，驗(yàn)證了測(cè)