喹諾酮類藥物分子印跡傳感器的研究.pdf

1、分子印跡技術(shù)(molecular imprinting technology)是合成對某一特定目標(biāo)分子(印跡分子，模板分子)具有特異選擇性的聚合物，具有預(yù)定性，較高的識別性，抗外界環(huán)境干擾性強(qiáng)，可重復(fù)使用等的優(yōu)點(diǎn)，其在電化學(xué)傳感器領(lǐng)域的應(yīng)用近些年引起廣泛關(guān)注。分子印跡聚合物膜固定在電極上的方法有很多種，其中電化學(xué)聚合法具有制備簡單、膜厚可控、膜在電極上的附著力能力強(qiáng)、重現(xiàn)性好等的特點(diǎn)，用該方法制備傳感器可以提高工作效率。
　　本論

2、文簡要介紹了喹諾酮類藥物的應(yīng)用現(xiàn)狀，將分子印跡技術(shù)與電化學(xué)技術(shù)相結(jié)合，利用電化學(xué)聚合法獲得了喹諾酮類藥物分子印跡電化學(xué)傳感器。用方波伏安法(SWV)表征對分子印跡電化學(xué)傳感器的性能，并將其應(yīng)用于藥物制劑的檢測。其主要內(nèi)容概述如下:
　　(1)吡咯(Py)和鄰苯二胺(o-PD)為復(fù)合單體，鹽酸環(huán)丙沙星(CPX)為模板，采取循環(huán)伏安法(CV)合成了一種鹽酸環(huán)丙沙星傳感器。采用方波伏安法研究了該傳感器對鹽酸環(huán)丙沙星的響應(yīng)特性，在最優(yōu)的實(shí)

3、驗(yàn)條件下，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明在1.0×10-3～1.6×10-9mol/L范圍內(nèi)，分子印跡電化學(xué)傳感器的峰電流差(△i)與鹽酸環(huán)丙沙星濃度的對數(shù)呈現(xiàn)線性(相關(guān)系數(shù)為R=0.9981)，最低檢測限為7.58×10-11mol/L(S/N=3)，該印跡傳感器具備良好的選擇性，將該印跡傳感器測定實(shí)際藥片中的鹽酸環(huán)丙沙星含量，其標(biāo)準(zhǔn)偏2.01％～3.27％。
　　(2)以吡咯和鄰苯二胺為單體，恩諾沙星(EF)為模板，通過電聚合法合成了一種對恩諾

4、沙星具有特異選擇性的分子印跡電化學(xué)傳感器。通過方波伏安法表征了該印跡電極的電化學(xué)性能，實(shí)驗(yàn)證明恩諾沙星傳感器表現(xiàn)出了選擇性好，靈敏度高，對恩諾沙星的線性檢測范圍是1.0×10-4～1×10-10 mol/L，相關(guān)系數(shù)R=0.9994，檢測限6.57×10-13mol/L(S/N=3)，該傳感器成功測定了藥物中恩諾沙星的含量。
　　(3)利用分子印跡技術(shù)和電化學(xué)聚合方法結(jié)合的方法制備諾氟沙星分子印跡傳感器。通過方波伏安法研究該傳感器