納米尺度下LER對線寬測量結(jié)果影響的研究.pdf

1、集成電路的刻線線寬測量是目前微納計量領(lǐng)域的熱點。主要研究的是對納米尺度的刻線尺寸以及它的表面因素參數(shù)進(jìn)行表征的技術(shù)，表征尺寸一般在幾十到數(shù)百納米。目前迅猛發(fā)展的半導(dǎo)體行業(yè)對集成電路的集成度越來越高的要求推動著這項技術(shù)的不斷發(fā)展。但是，光刻技術(shù)的不斷進(jìn)步帶來的集成電路的刻線尺寸減小到納米級別的同時，線邊緣粗糙度（Line Edge Roughness，LER）卻并不隨著刻線尺寸而減小，這主要是由于制造工藝本身導(dǎo)致的。LER在線寬加工誤差中

2、所占比重不斷增加，因此研究LER對線寬測量的影響極為重要。原子力顯微鏡（Atomic Force Microscopy，AFM）由于其高分辨率和對測量樣本材料的高度適應(yīng)性而成為現(xiàn)在線寬測量領(lǐng)域的一個重要工具。本文針對目前LER對線寬測量的影響越來越大的情況，通過對于納米線寬邊緣粗糙度的測量和表征來研究線寬邊緣粗糙度對線寬測量結(jié)果的影響。
　　本文簡要介紹了AFM的工作原理、儀器結(jié)構(gòu)和工作模式，分析了它在線寬測量中的應(yīng)用以及對測量圖

3、像影響較大的一些因素并提出了相應(yīng)的校正方法。探討了目前納米線寬測量領(lǐng)域中針對這些問題所出現(xiàn)的研究趨勢，為納米線寬測量的更深入的研究工作打好基礎(chǔ)。
　　本文采用了一個改進(jìn)的線邊緣形貌測量方法，通過對納米線寬的底部、中部和頂部三條線寬以及對應(yīng)的六個關(guān)鍵點的測量。對線邊緣粗糙度進(jìn)行了準(zhǔn)確表征。并利用Matlab對AFM掃描圖像中提取出的6條關(guān)鍵點組成的線邊緣進(jìn)行了統(tǒng)計和核算，詳細(xì)分析了線邊緣粗糙度對于線寬測量的影響，研究了不同測量方法的