代號分類號學(xué)號密級代號分類號學(xué)號密級10701TN3公開公開1175960057題（中、英文）（中、英文）目TM模808LD外延片外延片MOCVD外延生長研究外延生長研究STUDYONMOCVDGROWTHOF808NMLASERSTUDYONMOCVDGROWTHOF808NMLASERDIODEWITHTMPOLARIZATIONDIODEWITHTMPOLARIZATION...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： admin / 發(fā)布時間：2024-03-12 / 5人氣
形式邏輯基礎(chǔ)概念第三講概念的內(nèi)涵和外延9第三講第三講概念的內(nèi)涵和外延概念的內(nèi)涵和外延先講一個小故事。西班牙文學(xué)名著唐吉訶德中，有這樣一段情節(jié)桑丘總督在任時，遇到這樣一個案件有個小氣鬼拿了一塊布去請一個裁縫做一頂帽子。他問布夠不夠用裁縫量了布之后說布...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 畢業(yè)設(shè)計 / 發(fā)布時間：2024-03-08 / 18人氣
襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的外延生長技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。襯底材料的選擇主要取決于以下九個方面1結(jié)構(gòu)特性好，外延材料與襯底的晶體結(jié)構(gòu)相同或相近、晶格常數(shù)失配度...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 畢業(yè)設(shè)計 / 發(fā)布時間：2024-03-06 / 2人氣
點(diǎn)擊查看更多“TM模808LD外延片MOCVD外延生長研究.pdf”精彩內(nèi)容。
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 不要拒絕我 / 發(fā)布時間：2024-03-10 / 10人氣
LED外延片外延片襯底材料襯底材料襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的外延生長技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。襯底材料的選擇主要取決于以下九個方面1結(jié)構(gòu)特性好，外延材料與襯底的晶...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 畢業(yè)設(shè)計 / 發(fā)布時間：2024-03-07 / 2人氣
點(diǎn)擊查看更多“分子束外延實(shí)驗(yàn)室的建設(shè)與GaAs外延生長.pdf”精彩內(nèi)容。
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 以悲傷 / 發(fā)布時間：2024-03-10 / 8人氣
隨著半導(dǎo)體和集成電路技術(shù)的發(fā)展工作生活與半導(dǎo)體材料的關(guān)系越來越緊密。無論是計算機(jī)手持電話這些日益普及的消費(fèi)類電子產(chǎn)品上還是在醫(yī)療航空航天等高精尖的技術(shù)領(lǐng)域的工具器材上都離不開半導(dǎo)體芯片。而隨著社會的發(fā)展和進(jìn)步人們對電子產(chǎn)品的要求越來越高例如希望手...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 大小皆歡喜 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 12人氣
南京航空航天大學(xué)碩士學(xué)位論文音樂編輯的內(nèi)涵與外延姓名惲星申請學(xué)位級別碩士專業(yè)音樂學(xué)指導(dǎo)教師黃舒拉20081201音樂編輯的內(nèi)涵與外延IIABSTRACTINTHISPAPERANEXTRADINARYRESEARCHRESPECTIVEWASPUTINTOTODLEMANACTIVATINGINMUSICCOMMUNICATIONWHOISCALLEDMUSICEDITTHE...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 扶孤 / 發(fā)布時間：2024-03-08 / 21人氣
GAN是一種性能優(yōu)越的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，直接帶隙寬度為34EV，可以被用于制造高性能光電子器件、高功率電力器件以及高頻電子器件等，具有廣泛的應(yīng)用前景和經(jīng)濟(jì)價值。然而，GAN晶體也是最難以獲得的半導(dǎo)體材料之一。GAN單晶襯底非常難以制備且價格極其昂貴，這一...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 炸了 / 發(fā)布時間：2024-03-05 / 12人氣
本文利用MONTECARLO方法，結(jié)合薄膜生長理論，采用TURBOBASIC語言編寫程序，對外延薄膜的生長過程進(jìn)行了模擬。所用的模型為改進(jìn)的擴(kuò)散有限聚集模型DLA，研究了薄膜生長過程中沉積速率和襯底溫度對表面形貌的影響。通過模擬，獲得了不同沉積速率及不同襯底溫度的薄膜形...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 淚干 / 發(fā)布時間：2024-03-11 / 13人氣
本論文主要研究了紫光LED中量子壘和電子阻擋層的設(shè)計，主要結(jié)論如下1首先利用SILENSE軟件模擬分析了ALGAN量子壘在紫光LED結(jié)構(gòu)的作用，重點(diǎn)分析了它對載流子的限制作用，提高載流子注入效率，以及對電子空穴濃度分布均勻影響。由于ALGAN量子壘的限制作用，減少載流子...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 久別重逢蓄謀已久 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 2人氣
點(diǎn)擊查看更多“企業(yè)文化的外延結(jié)構(gòu)”精彩內(nèi)容。
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 畢業(yè)設(shè)計 / 發(fā)布時間：2024-03-12 / 5人氣
氮化鎵GAN由于其禁帶寬度大、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、耐高溫、遷移率高等優(yōu)點(diǎn)在光電與功率微波器件方面得到了廣泛的應(yīng)用。目前GAN缺少同質(zhì)外延材料一般都是采用MOCVD法進(jìn)行異質(zhì)外延生長。目前的商用GAN基器件中藍(lán)寶石成為應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的襯底但是SI襯底與藍(lán)寶石等襯...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 白裙 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 3人氣
集成電路是電子信息產(chǎn)業(yè)的重要基礎(chǔ)，IC制造裝備作為其技術(shù)先導(dǎo)，是信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的支柱。據(jù)統(tǒng)計，硅外延片銷量占全球整體硅片市場的份額超過30％，并且其需求量呈現(xiàn)出持續(xù)上升的態(tài)勢，國內(nèi)對硅外延片的需求增速則更為迅猛，需求迫切。國外，200MM、300MM的硅外延片已...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 戲言 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 2人氣
GAASALGAAS量子阱紅外探測器QWIP技術(shù)是上個世紀(jì)90年代發(fā)展起來的。與其它紅外探測技術(shù)相比，QWIP具有響應(yīng)速度快、探測率與HGCDTE紅外探測器相近、探測波長可通過量子阱結(jié)構(gòu)參數(shù)的調(diào)節(jié)加以控制等優(yōu)點(diǎn)，而且采用MBE或MOCVD等先進(jìn)外延生長技術(shù)可制備出品質(zhì)高、大面積均...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 樂意 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 4人氣
INP是一種優(yōu)良的ⅢⅤ族化合物半導(dǎo)體材料，它廣泛應(yīng)用于微波毫米波器件領(lǐng)域。高電子遷移率晶體管HEMT是基于異質(zhì)結(jié)調(diào)制摻雜發(fā)展起來的一種高頻高速半導(dǎo)體器件。INPPHEMT的高頻、低噪聲性能十分優(yōu)越，但是功率性能有待于進(jìn)一步提高。電子遷移率ΜN和二維電子氣2DEG面密...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 慣己 / 發(fā)布時間：2024-03-10 / 5人氣
本文主要研究內(nèi)容是GASB的同質(zhì)異質(zhì)外延生長和材料的表征和物性分析，利用同質(zhì)外延指導(dǎo)異質(zhì)外延的生長。具體如下采用分子束外延在GAASGASB襯底上同質(zhì)異質(zhì)外延上生長GASB薄膜，在外延生長過程中，我們利用RHEED對生長過程進(jìn)行監(jiān)測，記錄下各種衍射震蕩圖，確定了生長速...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 迷離的眼 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 3人氣
相比于GA面GAN基外延材料長期以來N面GAN基外延材料的表面形貌與結(jié)晶質(zhì)量均很不理想。然而通過研究人員的不懈努力在2007年前后首次通過MBE及MOCVD在藍(lán)寶石和C面SIC襯底上實(shí)現(xiàn)了較高質(zhì)量的N面GAN基外延薄膜與HEMT器件。國內(nèi)相關(guān)研究目前均處于起步階段。本文的主要工作...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 臭臉 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 9人氣
GAN屬于第三代半導(dǎo)體材料，具有化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、帶隙寬、電子遷移率高等特點(diǎn)，在光電和微電子器件、大功率電子探測、高溫和高頻電子器件等方面具有良好的發(fā)展前景。異質(zhì)外延生長GAN薄膜常用AL2O3和SI作為襯底，但由于GAN與AL2O3和SI間的晶格失配較大，常采用緩沖層來降...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 熱 / 發(fā)布時間：2024-03-05 / 8人氣
論消費(fèi)者外延的擴(kuò)張論消費(fèi)者外延的擴(kuò)張學(xué)位類型專業(yè)學(xué)位學(xué)位類型專業(yè)學(xué)位論文作者尚斯宇論文作者尚斯宇學(xué)號號2014188109520141881095培養(yǎng)學(xué)院法學(xué)院培養(yǎng)學(xué)院法學(xué)院專業(yè)名稱法律碩士（法學(xué)）專業(yè)名稱法律碩士（法學(xué)）指導(dǎo)教師蘇號朋指導(dǎo)教師蘇號朋教授教授20162016年5...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 北港不夏南港不秋 / 發(fā)布時間：2024-03-08 / 3人氣
copyright@ 2011-2023 聯(lián)系方式qq：9411152
本站所有資料均屬于原創(chuàng)者所有，僅提供參考和學(xué)習(xí)交流之用，請勿用做其他用途，轉(zhuǎn)載必究！如有侵犯您的權(quán)利請聯(lián)系本站，一經(jīng)查實(shí)我們會立即刪除相關(guān)內(nèi)容!
機(jī)械圖紙源碼,實(shí)習(xí)報告等文檔下載
備案號：浙ICP備20018660號
