銻化物的外延生長及其物性研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文主要研究內容是GaSb的同質/異質外延生長和材料的表征和物性分析，利用同質外延指導異質外延的生長。具體如下:采用分子束外延在GaAs/GaSb襯底上同質/異質外延上生長GaSb薄膜，在外延生長過程中，我們利用RHEED對生長過程進行監(jiān)測，記錄下各種衍射震蕩圖，確定了生長速率、Ⅲ/Ⅴ束流比，并且對生長的各個參數(shù)進行了優(yōu)化;然后采用X射線雙晶衍射、原子力顯微鏡、掃描電鏡、PLmapping等設備對外延片的質量進行光學、電學、形貌方面的測

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