應(yīng)用于MEMS真空封裝的納米吸氣劑.pdf

1、在MEMS封裝技術(shù)中，真空封裝仍是一個(gè)重點(diǎn)研究的課題，許多MEMS器件涉及到真空密封的問(wèn)題，真空密封性的好壞對(duì)器件的性能有著重要的影響，甚至決定著器件能否正常工作。目前真空封裝技術(shù)存在著成本高、可靠性差等問(wèn)題。例如常用的鍵合技術(shù)，由于鍵合材料和腔體材料殘余氣體的存在和釋放，微腔內(nèi)的真空度降低，影響器件的性能和使用壽命。目前，改善吸氣劑的吸氣特性以提高M(jìn)EMS真空封裝技術(shù)水平，已經(jīng)成為MEMS器件研究的一個(gè)重要方向。本文嘗試?yán)镁哂懈弑缺?/p>

2、面積和自身儲(chǔ)氣特性的碳納米管(CNTs)作為骨架，制備納米吸氣劑，以提高吸氣劑的吸氣性能。
　　課題研究重點(diǎn)是以具有高比表面積和自身儲(chǔ)氣特性的CNTs作為骨架，用真空金屬材料Ti膜來(lái)增強(qiáng)化學(xué)吸附，制備納米吸氣劑，并通過(guò)測(cè)試，評(píng)價(jià)納米吸氣劑的吸氣性能。具體研究工作包括以下幾部分:
　　制備CNTs:采用Ni/Fe二元合金為催化劑，CH4為碳源氣體，采用化學(xué)氣相沉積法(CVD)在Si基上制備大面積、均勻(管徑范圍20～400nm

3、)CNTs;
　　Ti膜濺射:分析吸氣劑的工作原理，利用已生長(zhǎng)的CNTs作為骨架，濺射上一層200nm的Ti薄膜來(lái)制備納米吸氣劑，以提高納米吸氣劑的吸氣特性;
　　圖形化生長(zhǎng)CNTs:為了便于將納米吸氣劑應(yīng)用于MEMS器件真空封裝，需要使CNTs只在基底特定位置生長(zhǎng)。本文利用光刻技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了CNTs選擇性地在Si基上生長(zhǎng);
　　CNTs比表面積和孔隙度測(cè)定:利用自動(dòng)吸附儀測(cè)試CNTs比表面積為154.3922m2/g，