600V快恢復(fù)超結(jié)VDMOS設(shè)計(jì).pdf

1、快恢復(fù)超結(jié)VDMOS器件是一種新型的超結(jié)VDMOS器件，它具體有極短的反向恢復(fù)時(shí)間，是當(dāng)前功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展方向之一。將快恢復(fù)超結(jié)VDMOS器件應(yīng)用到LLC、AC-DC以及橋式驅(qū)動(dòng)電路中可以提高系統(tǒng)的能效、提高系統(tǒng)可靠性的同時(shí)減小系統(tǒng)對(duì)外界的電磁干擾。在提倡綠色科技的今天，研究快恢復(fù)超結(jié)VDMOS技術(shù)對(duì)于減小能源消耗、發(fā)展綠色科技具有十分重要的意義。
　　本文采用理論分析與TCAD仿真相結(jié)合的方法，設(shè)計(jì)出了一款600V快恢復(fù)超結(jié)

2、VDMOS器件。論文首先對(duì)超結(jié)VDMOS器件快恢復(fù)技術(shù)進(jìn)行了深入的研究，研究發(fā)現(xiàn)電子輻照技術(shù)與肖特基技術(shù)、金摻雜技術(shù)相比具有最優(yōu)的反向恢復(fù)特性和泄漏電流特性。然后著重研究了不同電荷不平衡情況下600V快恢復(fù)超結(jié)VDMOS器件的反向恢復(fù)特性、擊穿電壓、泄漏電流、雪崩能量及dv/dt可靠性。研究發(fā)現(xiàn)當(dāng)超結(jié)VDMOS的P-pillar區(qū)的總電荷數(shù)大于N-pillar區(qū)的總電荷數(shù)時(shí)，器件的擊穿電壓、雪崩耐量及dv/dt能力都會(huì)得到提升。在理論分