IGBT的分析與設計.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩64頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權，請進行舉報或認領

文檔簡介

1、絕緣柵雙極晶體管(Insulate Gate Bipolar Transistor, IGBT)是一種由場效應晶體管(MOSFET)和雙極型功率晶體管(BJT)結合而成的達林頓結構。它既具有MOSFET的輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動電路簡單、開關速度高的優(yōu)點，又具有BJT的電流密度大、飽和壓降低、電流處理能力強的優(yōu)點。但是，目前國內(nèi)還沒有商品化的IGBT投入市場，國內(nèi)市場需求的器件主要依賴進口，因此，開發(fā)和研制具有自主知識產(chǎn)權的高性能的

2、IGBT迫在眉睫。
　　本課題在了解IGBT結構和工作原理的基礎上，從理論上分析了器件結構參數(shù)和器件主要性能之間的關系，由此總結出IGBT主要參數(shù)（閾值電壓、正向擊穿電壓及關斷時間）的設計依據(jù)，并依據(jù)此理論完成了IGBT結構參數(shù)設計。有源區(qū)結構選用條狀元胞結構；柵極選用平面柵結構；縱向結構選用穿通型結構。依據(jù)所設計的結構參數(shù)，設計工藝流程，選取工藝條件和工藝參數(shù)，使用工藝模擬軟件建立IGBT工藝模型。
　　閾值電壓、正向擊穿

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論